松山湖材料实验室;东莞理工学院陈昭铭获国家专利权
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龙图腾网获悉松山湖材料实验室;东莞理工学院申请的专利功率半导体器件及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823907B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210258377.1，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权功率半导体器件及其应用是由陈昭铭;夏经华;张安平设计研发完成，并于2022-03-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本功率半导体器件及其应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种功率半导体器件及其应用，功率半导体器件包括：基体，基体内设有第一金属区、源区、栅氧介质层和栅电极区，栅氧介质层包绕栅电极区，源区位于第一金属区与栅氧介质层之间且源区的侧壁分别与第一金属区和栅氧介质层接触，第一金属区、源区、栅氧介质层与栅电极区的表面与基体的一侧表面平齐，基体和源区具有同一导电类型，基体的材料的功函数小于第一金属区的材料的功函数；绝缘介质层，绝缘介质层设置在栅氧介质层、栅电极区以及源区上。上述功率半导体器件结构中，第一金属区与基体间形成了肖特基体二极管，避免了双极退化现象，还可以耗尽栅电极区的漂移区，使半导体器件成为常闭型器件，减少半导体器件的漏电流。
本发明授权功率半导体器件及其应用在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括： 基体，所述基体内设有第一金属区、源区、栅氧介质层和栅电极区，所述栅氧介质层包绕所述栅电极区，所述源区位于所述第一金属区与所述栅氧介质层之间且所述源区的侧壁分别与所述第一金属区和所述栅氧介质层接触，所述第一金属区、所述源区、所述栅氧介质层与所述栅电极区的表面与所述基体的一侧表面平齐，所述基体和所述源区具有同一导电类型，所述基体的材料的功函数小于所述第一金属区的材料的功函数； 绝缘介质层，所述绝缘介质层设置在所述栅氧介质层、所述栅电极区以及所述源区上； 还包括第二金属区，所述第二金属区设置在所述第一金属区的远离与所述基体平齐的一侧，所述第二金属区的材料的功函数大于所述基体的材料的功函数，且所述第二金属区的材料的功函数小于所述第一金属区的材料的功函数。
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