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龙图腾网获悉福建华佳彩有限公司申请的专利一种LTPO背板结构及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823718B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210288405.4，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权一种LTPO背板结构及制作方法是由杨远直;罗敬凯;贾浩设计研发完成，并于2022-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种LTPO背板结构及制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种LTPO背板结构及制作方法，包括Poly半导体层，所述Poly半导体层上设有GI层和金属层M1栅极，所述GI层和金属层M1栅极外设有绝缘层PV1，所述绝缘层PV1上设有金属层M2，所述金属层M2外设有绝缘层PV2，所述绝缘层PV2上设有金属层M3，所述金属层M3上设有绝缘层PV3层，所述绝缘层PV3层上镀膜形成IGZO半导体层，所述IGZO半导体层上设有GI层和金属层M4栅极，所述金属层M4栅极和IGZO半导体层上设有绝缘层PV4，所述绝缘层PV4上设有金属层M5，本发明属于背板技术领域，具体是指一种LTPO背板结构及制作方法，功耗低稳定性好。

本发明授权一种LTPO背板结构及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种LTPO背板结构，其特征在于：包括Poly半导体层，Poly半导体层由ELA工艺形成，所述Poly半导体层上设有GI层和金属层M1栅极，所述GI层将金属层M1栅极和Poly半导体层隔开，所述GI层和金属层M1栅极外设有绝缘层PV1，所述绝缘层PV1上设有金属层M2，所述金属层M2与金属层M1栅极相连，所述金属层M2外设有绝缘层PV2，所述绝缘层PV2上设有金属层M3，所述金属层M3与金属层M2通过绝缘层PV2形成像素驱动电路的储存电容Cst，所述金属层M3上设有绝缘层PV3，所述绝缘层PV3上镀膜形成IGZO半导体层，所述IGZO半导体层上设有GI层和金属层M4栅极，GI层将金属层M4栅极与IGZO半导体层隔开，所述金属层M4栅极和IGZO半导体层上设有绝缘层PV4，所述绝缘层PV4上设有金属层M5，所述金属层M5作为开关TFT的Source、Drain极，金属层M5和金属层M2相连，所述金属层M5上设有有机平整层OC，所述有机平整层OC上设有阳极金属层Anode，所述阳极金属层Anode与金属层M3相连，所述有机平整层OC上设有画素定义层PDL，所述阳极金属层Anode上设有开口，所述绝缘层PV2上设有VIA2洞，所述金属层M3通过VIA2洞与驱动TFT的Drain和Source极相连。

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