南亚科技股份有限公司黄则尧获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利具有含锰互连结构的半导体元件结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114765159B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111420768.0，技术领域涉及：H10W20/43；该发明授权具有含锰互连结构的半导体元件结构及其制备方法是由黄则尧设计研发完成，并于2021-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有含锰互连结构的半导体元件结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种具有含锰互连结构的半导体元件结构及该半导体元件结构的制备方法。该半导体元件结构具有一第一互连结构，设置在一半导体基底中；一介电层，设置在该半导体结构上；以及一第二互连结构，设置在该介电层中并电性连接到该第一互连结构。该第一互连结构具有一第一导电线以及一第一含锰层，该第一含锰层设置在该第一导电线上。该第二互连结构具有一第二导电线以及一第二含锰层，该第二含锰层设置在该第二导电线与该介电层之间。
本发明授权具有含锰互连结构的半导体元件结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件结构，包括： 一第一互连结构，设置在一半导体基底中，其中该第一互连结构包括： 一第一导电线；以及 一第一含锰层，设置在该第一导电线上； 一介电层，设置在该半导体基底上； 一第二互连结构，设置在该介电层中，并电性连接到该第一互连结构，其中该第二互连结构包括： 一第二导电线；以及 一第二含锰层，设置在该第二导电线与该介电层之间；以及 一第三互连结构，设置在该半导体基底中，其中该第三互连结构包括一第三导电线以及一第三含锰层，该第三含锰层设置在该第三导电线上，其中该第三互连结构的该第三含锰层与该第一互连结构的该第一含锰层包含相同材料，其中该第一互连结构与该第二互连结构设置在一图案稀疏区中，其中该第三互连结构设置在一图案密集区中。
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