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龙图腾网获悉桑迪士克科技有限责任公司申请的专利用于双脉冲编程的系统和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114694718B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110649106.4，技术领域涉及：G11C16/10；该发明授权用于双脉冲编程的系统和方法是由R·库马尔;D·杜塔设计研发完成，并于2021-06-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于双脉冲编程的系统和方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种非易失性存储器装置，其包括被配置成将第一编程电压施加到选定字线的控制电路，其中禁止用所述第一编程电压来编程对应于数据状态的第一集合的所述选定字线的存储器单元的第一子集，且其中所述第一编程电压被施加到对应于数据状态的第二集合的存储器单元的第二子集。所述控制电路被进一步配置成使所述选定字线的第一电压放电到对应于第二编程电压的第二电压电平，使得所述第二编程电压被施加到存储器单元的至少所述第一子集。所述控制电路被进一步配置成执行验证操作以验证存储器单元的所述第一子集和存储器单元的所述第二子集是否已完成编程。本发明还公开了一种编程非易失性存储器的存储器单元的方法。

本发明授权用于双脉冲编程的系统和方法在权利要求书中公布了：1.一种非易失性存储器装置，其包括： 控制电路，其用于执行编程和验证操作以编程非易失性存储器的存储器单元阵列，其中所述控制电路在执行所述编程和验证操作的迭代时被配置成： 将第一编程电压施加到选定字线，其中所述选定字线包含对应于数据状态的第一集合的存储器单元的第一子集和对应于数据状态的第二集合的存储器单元的第二子集，其中禁止用所述第一编程电压来编程存储器单元的所述第一子集的相应存储器单元，且其中所述第一编程电压被施加到对应于数据状态的所述第二集合的存储器单元的所述第二子集； 使所述选定字线的对应于所述第一编程电压的第一电压电平放电到对应于第二编程电压的第二电压电平，使得所述第二编程电压被施加到存储器单元的至少所述第一子集；以及 执行所述编程和验证操作的验证部分以验证存储器单元的所述第一子集和存储器单元的所述第二子集是否已完成编程；并且 其中所述控制电路在施加所述第一编程电压之前被进一步配置成： 将禁止编程电压施加到对应于存储器单元的所述第一子集的位线，其中基于所述控制电路将所述禁止编程电压施加到对应于存储器单元的所述第一子集的所述位线，禁止用所述第一编程电压来编程存储器单元的所述第一子集的每个相应存储器单元。

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