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龙图腾网获悉清华大学申请的专利一种碳化硅MOSFET短路过流组合检测方法和系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114660433B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210240281.2，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种碳化硅MOSFET短路过流组合检测方法和系统是由叶之菁;郑泽东设计研发完成，并于2022-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅MOSFET短路过流组合检测方法和系统在说明书摘要公布了：本发明属于电子电路技术领域，涉及一种碳化硅MOSFET短路过流组合检测方法和系统，包括：根据SiCMOSFET的输出特性曲线，判断SiCMOSFET的导通电压是否大于第一电压阈值，若是则触发保护动作；在SiCMOSFET的开尔文极和源极之间设置寄生电感，检测寄生电感产生的感应电压，将感应电压输入积分器中，获得积分电压，判断积分电压是否小于第二电压阈值，若是则触发保护动作；将去饱和保护检测信号和开尔文保护检测信号进行或运算，然后输出总保护信号，统一触发后续保护动作。其能够对SiCMOSFET的导通电压VDK‑on、导通电流IDK‑on共同检测，有利于多种功能的集成实现。

本发明授权一种碳化硅MOSFET短路过流组合检测方法和系统在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅MOSFET短路过流组合检测方法，其特征在于，包括： 去饱和保护检测：根据碳化硅MOSFET的输出特性曲线，判断碳化硅MOSFET的导通电压是否大于第一电压阈值，若是则触发保护动作，产生去饱和保护检测信号； 开尔文保护检测：在碳化硅MOSFET的开尔文极和源极之间设置寄生电感，检测所述寄生电感产生的感应电压，将所述感应电压输入积分器中，获得积分电压，判断所述积分电压是否小于第二电压阈值，若是则触发保护动作，产生开尔文保护检测信号； 将所述去饱和保护检测信号和开尔文保护检测信号进行或运算，然后输出总保护信号，统一触发后续保护动作； 用于所述开尔文保护检测的开尔文保护检测电路包括：寄生电感、无源积分器和第二比较器，所述寄生电感设置在所述碳化硅MOSFET的源极和开尔文极之间，所述无源积分器与所述寄生电感并联，用于将所述寄生电感产生的感应电压输入无源积分器，以产生积分电压，所述无源积分器与所述第二比较器连接，所述第二比较器将所述积分电压与第二电压阈值进行比较，若积分电压小于所述第二电压阈值，则第二比较器输出高电平信号； 所述无源积分器包括第二电容和第五电阻，所述第二电容与第五电阻串联，所述开尔文极和接电源负之间设置第五二极管和第六二极管，所述第五二极管和第六二极管串联，分别用于对所述第二电容的感应电压的最大值和最小值进行限制。

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