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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利半导体器件的接触孔形成方法、半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114628315B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011434941.8，技术领域涉及：H10W20/20；该发明授权半导体器件的接触孔形成方法、半导体器件是由刘智龙;李大烨;金一球;贺晓彬;李亭亭;杨涛;李俊峰;王文武设计研发完成，并于2020-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件的接触孔形成方法、半导体器件在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体器件的接触孔形成方法、半导体器件，包括：形成覆盖第一介质层的第一阻挡层，第一介质层内有着陆焊垫和电极；对第一阻挡层进行部分刻蚀以在电极对应位置形成刻蚀阻挡图案；在刻蚀阻挡图案和第一阻挡层上依次形成多层被第二介质层隔开的第二阻挡层，对第二阻挡层、第二介质层、第一阻挡层进行刻蚀以在着陆焊垫对应位置形成电容器；回填第二介质层直至将电容器覆盖，对回填的第二介质层进行倾斜刻蚀以形成与电极接触的接触孔，位于刻蚀阻挡图案上部的形状为圆锥形，由于刻蚀阻挡图案作用，位于刻蚀阻挡图案下部的刻蚀相当于是垂直刻蚀，垂直刻蚀不会出现底部无法刻开的问题，进而使得接触孔尺寸可以做得更小。

本发明授权半导体器件的接触孔形成方法、半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的接触孔形成方法，其特征在于，所述方法包括： 形成覆盖第一介质层的第一阻挡层，所述第一介质层内形成有着陆焊垫和电极； 对所述第一阻挡层进行部分刻蚀，以在所述电极对应位置上形成一刻蚀阻挡图案； 在所述刻蚀阻挡图案和剩余的第一阻挡层上依次形成多层被第二介质层隔开的第二阻挡层，并对所述第二阻挡层、第二介质层以及第一阻挡层进行刻蚀，以在所述着陆焊垫对应位置形成与所述着陆焊垫电连接的电容器； 回填第二介质层直至将所述电容器完全覆盖为止，对回填的第二介质层进行倾斜刻蚀，以形成与所述电极接触的接触孔； 其中，在所述接触孔中，位于所述刻蚀阻挡图案上部部分的形状为圆锥形，位于所述刻蚀阻挡图案下部部分的形状为四方形； 所述对所述第一阻挡层进行部分刻蚀，以在所述电极对应位置上形成一刻蚀阻挡图案，包括：在所述第一阻挡层上所述电极对应位置形成一光刻胶开口；对未被光刻胶覆盖的第一阻挡层进行减薄刻蚀后去除光刻胶，以在所述电极对应位置上形成一刻蚀阻挡图案。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司，其通讯地址为：100029 北京市朝阳区北土城西路3号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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