南亚科技股份有限公司黄则尧获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利半导体元件及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114582833B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110900986.8,技术领域涉及:H10W20/49;该发明授权半导体元件及其制备方法是由黄则尧设计研发完成,并于2021-08-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件及其制备方法在说明书摘要公布了:本公开提供一种具有连接到重分布层RDL的反熔丝和金属‑绝缘体‑金属MIM电容器的半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括设置于一半导体基板之上的一第一导电部分和一第二导电部分。该半导体元件也包括覆盖该第一导电部分和该第二导电部分的一钝化层。该第一导电部分、该第二导电部分、和其间的一部分该钝化层形成一反熔丝。该半导体元件还包括设置于该钝化层之上的一第一金属‑绝缘体‑金属MIM电容器和一第一重分布层RDL。该第一MIM电容器和该第一RDL电性连接到该第一导电部分,且该第一MIM电容器的一第一金属层与该第一RDL一体成型。
本发明授权半导体元件及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体元件,包括: 一第一导电部分和一第二导电部分,设置于一半导体基板之上; 一钝化层,覆盖该第一导电部分和该第二导电部分,其中该第一导电部分、该第二导电部分、和其间的一部分该钝化层形成一反熔丝; 一第一金属-绝缘体-金属电容器和一第一重分布层,设置于该钝化层之上,其中该第一金属-绝缘体-金属电容器和该第一重分布层电性连接到该第一导电部分,且该第一金属-绝缘体-金属电容器的一第一金属层与该第一重分布层一体成型;以及 一第二金属-绝缘体-金属电容器和一第二重分布层,设置于该钝化层之上,其中该第二金属-绝缘体-金属电容器和该第二重分布层电性连接到该第二导电部分,且该第二金属-绝缘体-金属电容器的一第三金属层与该第二重分布层一体成型。
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