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龙图腾网获悉致真存储(北京)科技有限公司申请的专利一种可控制形状的小线宽圆或椭圆形器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114420546B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111452105.7，技术领域涉及：H10P76/00；该发明授权一种可控制形状的小线宽圆或椭圆形器件及其制备方法是由满博文;刘宏熹;赵庆松设计研发完成，并于2021-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种可控制形状的小线宽圆或椭圆形器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公布了一种可控制形状的小线宽圆或椭圆形器件的制备方法，包括：提供衬底材料层，所述衬底材料层表面有一层待刻蚀目标层；对待刻蚀目标层进行第一次刻蚀处理，光刻形成第一辅助图形层，并沉积第一阻挡层；然后去除该第一阻挡层，并腐蚀掉第一辅助图形层，形成第一侧墙层；用该第一侧墙层作为硬掩模刻蚀，形成第一目标层，去除第一侧墙层；对上述第一目标层进行相同的第二次刻蚀处理后，形成第二侧墙层；用该第二侧墙层作为硬掩模刻蚀，形成第二目标层，去除第二侧墙层；刻蚀第二目标层多余棱角，形成小线宽圆或椭圆形器件；第二侧墙层与第一目标层相互垂直形成90°夹角。本发明制备的小尺寸器件均匀性好、完整性高，且形状可控。

本发明授权一种可控制形状的小线宽圆或椭圆形器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种可控制形状的小线宽圆或椭圆形器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤： 提供衬底材料层，在所述衬底材料层表面外延一层制备所需要的材料作为待刻蚀目标层； 对待刻蚀目标层进行第一次刻蚀处理，形成第一目标层： 在所述待刻蚀目标层上沉积一层辅助图形层，对该辅助图形层进行光刻去除多余的部分，形成第一辅助图形层； 在所述第一辅助图形层以及未被该第一辅助图形层覆盖的待刻蚀目标层表面沉积第一阻挡层； 用刻蚀工艺将水平方向的第一阻挡层去除，只保留第一辅助图形层两侧竖直方向的第一阻挡层； 腐蚀去掉所述第一辅助图形层，留下两侧竖直方向的第一阻挡层作为第一侧墙层； 以所述第一侧墙层作为硬掩模进行刻蚀，除去衬底上多余的待刻蚀目标层，只保留第一侧墙层下方的待刻蚀目标层； 腐蚀掉所述第一侧墙层，在衬底上留下的待刻蚀目标层作为第一目标层； 对所述第一目标层进行第二次刻蚀处理，形成第二目标层： 在所述衬底材料层和第一目标层表面重新沉积一层待刻蚀辅助图形层，对该辅助图形层进行光刻去除多余的部分，形成第二辅助图形层； 在所述第二辅助图形层以及未被该第二辅助图形层覆盖的第一目标层表面沉积第二阻挡层； 用刻蚀工艺将所述水平方向多余的第二阻挡层去除，只保留第二辅助图形层两侧竖直方向的第二阻挡层； 腐蚀去掉所述第二辅助图形层，留下两侧竖直方向的第二阻挡层作为第二侧墙层； 以所述第二侧墙层作为硬掩模进行刻蚀，除去衬底上多余的第一目标层，只保留第二侧墙层下方的第一目标层； 腐蚀掉所述第二侧墙层，在衬底上留下的第一目标层作为第二目标层； 通过所述二次刻蚀处理后，对衬底上的第二目标层进行刻蚀去除多余的棱角，最终形成小线宽圆或椭圆形的器件； 其中，所述第二侧墙层与所述第一侧墙层垂直交叉设置，利用所述第一侧墙层和所述第二侧墙层的交叉部分形成所述第二目标层。

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