应用材料公司巴加夫·S·西特拉获国家专利权
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龙图腾网获悉应用材料公司申请的专利沉积介电材料的方法与设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114402417B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080065353.3，技术领域涉及：H10P14/00；该发明授权沉积介电材料的方法与设备是由巴加夫·S·西特拉;杰思罗·塔诺斯;斯里尼瓦斯·D·内曼尼;约书亚·鲁布尼茨设计研发完成，并于2020-09-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本沉积介电材料的方法与设备在说明书摘要公布了：用于沉积介电材料的方法和设备包括：将第一气体混合物提供到处理腔室中；在远程等离子体源中形成包括第一自由基的第一远程等离子体，并将第一自由基输送至处理腔室，以在存在第一气体混合物和第一自由基的情况下在设置在基板上的材料层中的开口中形成介电材料层；终止第一远程等离子体并向处理腔室施加第一RF偏置功率以形成第一偏置等离子体；使介电材料层与第一偏置等离子体接触以形成第一介电材料处理层；及随后在远程等离子体源中形成包括第二自由基的第二远程等离子体，并在存在第二气体混合物的情况下将第二自由基输送到内部处理区域中，同时施加第二RF偏置功率以形成第二偏置等离子体，其中第二自由基和第二偏置等离子体接触第一介电材料处理层，以增加第一介电材料处理层的疏水性或流动性。
本发明授权沉积介电材料的方法与设备在权利要求书中公布了：1.一种形成介电材料的方法，包括： 用介电材料填充基板上的具有大于5的深宽比的开口，所述介电材料是通过依序施加第一远程等离子体、第一偏置等离子体、第二远程等离子体与第二偏置等离子体的结合到设置有所述基板的处理腔室的内部处理区域而形成的，由此至少增加所述介电材料的流动性或疏水性。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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