买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉信利(惠州)智能显示有限公司申请的专利过孔干刻的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114388359B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111479362.X，技术领域涉及：H10P50/28；该发明授权过孔干刻的方法是由谢武林;刘伟;李伟界;戴成云设计研发完成，并于2021-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本过孔干刻的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种过孔干刻的方法，该方法包括用第二刻蚀气体对第一层间绝缘层和栅极绝缘层进行刻蚀，第二刻蚀气体包括Ar、H2、C2HF5，C2HF5对第一层间绝缘层和栅极绝缘层进行刻蚀过程中发生反应生成CFx，CFx沉积在孔内的栅极绝缘层上导致刻蚀中断，该方法还包括使用低温氧等离子体去除CFx。本发明提供的方法能避免过孔干刻过程中因沉积物而导致刻蚀中断的情况，同时也减小过孔干刻时出现PSI过刻程度，避免出现过刻严重的情况，保证了过孔处PSI的膜厚均匀性，消除MURA，提高产品良率。

本发明授权过孔干刻的方法在权利要求书中公布了：1.一种过孔干刻的方法，其特征在于， 形成过孔的膜层及其刻蚀顺序由上往下依次是第二层间绝缘层、第一层间绝缘层、栅极绝缘层，所述第二层间绝缘层的组成成分是SiOx，所述第一层间绝缘层的组成成分是SiNx，所述栅极绝缘层包括SiNx栅极绝缘层和SiOx栅极绝缘层，所述栅极绝缘层中SiNx栅极绝缘层为上层和SiOx栅极绝缘层为下层，SiOx栅极绝缘层与低温多晶硅层接触； 所述方法包括如下步骤： S101，第一刻蚀气体对栅极绝缘层及栅极绝缘层上方的第一层间绝缘层、第二层间绝缘层进行主刻刻蚀，所述第一刻蚀气体包括O2和CF4，采用发射光谱法对所述主刻进行监测，对SiNx和CF4反应生成的产物CNx进行监测，在发射光谱上所述CNx的发光强度最低点横坐标数值加上2-3为所述第一层间绝缘层刻蚀起点，所述最低点横坐标数值加上32-63处为所述主刻的结束点，所述结束点的横坐标为所述主刻时间； S102，第二刻蚀气体对第一层间绝缘层和栅极绝缘层进行第一步过刻刻蚀，所述第二刻蚀气体包括Ar、H2、C2HF5，所述C2HF5对所述第一层间绝缘层和所述栅极绝缘层进行所述刻蚀过程中发生反应生成CFx，所述CFx沉积在孔内所述栅极绝缘层上导致刻蚀中断； S103，低温氧等离子体去除沉积物CFx，采用发射光谱法对所述低温氧等离子体去除所述CFx过程进行监测； S104，第二刻蚀气体对栅极绝缘层进行第二步过刻刻蚀，形成过孔，以暴露出所述低温多晶硅层； 所述主刻的刻蚀深度为400-900nm，完成所述主刻后剩余刻蚀深度范围为50-250nm，所述第一刻蚀气体满足：所述CF4流量为300-600sccm，所述O2流量为30-100sccm，腔室压强为1-3Pa，源极射频功率为7000-9500W，偏置射频功率为2000-4000W； 所述第一步过刻的刻蚀时间为30-50s、刻蚀深度为30-150nm，完成所述第一步过刻后剩余刻蚀深度范围为10-100nm，所述第二刻蚀气体满足：所述C2HF5流量为30-100sccm，所述H2流量为30-100sccm，所述Ar流量为200-500sccm，腔室压力为1-3Pa，源极射频功率为3000-6000W，偏置射频功率为3000-6000W； 在所述低温氧等离子体去除所述CFx过程中，O2流量为700-1000sccm，腔室压强为3-5Pa，源极射频功率为700-1500W； 所述第二步过刻的刻蚀时间为30-50s、刻蚀深度为30-150nm，完成所述第二步过刻后，低温多晶硅层过刻深度为0-20nm。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人信利(惠州)智能显示有限公司，其通讯地址为：516029 广东省惠州市仲恺高新区新华大道南1号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。