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龙图腾网获悉深圳市兴森快捷电路科技股份有限公司;广州兴森快捷电路科技有限公司申请的专利PCB覆铜方法、PCB覆铜系统、电子设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114372437B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111471017.1，技术领域涉及：G06F30/392；该发明授权PCB覆铜方法、PCB覆铜系统、电子设备及存储介质是由刘煦阳;刘湘龙;胡梦海;黄贵福设计研发完成，并于2021-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本PCB覆铜方法、PCB覆铜系统、电子设备及存储介质在说明书摘要公布了：本发明公开了一种PCB覆铜方法、PCB覆铜系统、电子设备及存储介质。其中，所述PCB包括图形区域和非图形区域，所述PCB覆铜方法包括：获取所述图形区域的第一残铜率；将所述第一残铜率与预设范围进行比较，根据比较结果和对应的预设覆铜图形对所述非图形区域进行覆铜操作，以使所述第一残铜率与所述非图形区域的第二残铜率相等。本申请实施例能够保证非图形区域的残铜率与图形区域的残铜率相等，从而避免对后续操作的影响。

本发明授权PCB覆铜方法、PCB覆铜系统、电子设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.PCB覆铜方法，其特征在于，所述PCB包括图形区域和非图形区域，所述PCB覆铜方法包括： 获取所述图形区域的第一残铜率； 将所述第一残铜率与预设范围进行比较，根据比较结果和对应的预设覆铜图形对所述非图形区域进行覆铜操作，以使所述第一残铜率与所述非图形区域的第二残铜率相等，预设覆铜图形的覆铜面积与所述第一残铜率呈正相关关系； 所述预设覆铜图形至少包括第一覆铜图形、第二覆铜图形和第三覆铜图形； 所述根据比较结果和对应的预设覆铜图形对所述非图形区域进行覆铜操作，包括： 确定所述第一残铜率小于预设范围，根据所述第一覆铜图形对所述非图形区域进行覆铜操作； 确定所述第一残铜率在所述预设范围内，根据所述第二覆铜图形对所述非图形区域进行覆铜操作； 确定所述第一残铜率大于所述预设范围，根据所述第三覆铜图形对所述非图形区域进行覆铜操作； 所述第一覆铜图形包括多个第一图形，所述第一图形为圆形； 在所述将所述第一残铜率与预设范围进行比较之前，所述PCB覆铜方法还包括： 获取所述非图形区域的初始长度和初始宽度； 所述根据所述第一覆铜图形对所述非图形区域进行覆铜操作，包括： 根据所述第一残铜率、所述初始长度和所述初始宽度调节所述第一图形的第一直径，以及相邻两个所述第一图形之间的第一间距； 根据调节后的所述第一覆铜图形对所述非图形区域进行覆铜操作； 所述第二覆铜图形包括多个第二图形，所述第二图形为矩形； 所述根据所述第二覆铜图形对所述非图形区域进行覆铜操作，包括： 根据所述第一残铜率、所述初始长度和所述初始宽度调节所述第二图形的边长，以及相邻两个所述第二图形之间的第二间距； 根据调节后的所述第二覆铜图形对所述非图形区域进行覆铜操作； 所述第三覆铜图形包括多个堆叠设置的中间图形；所述中间图形包括多个依次连接的第三图形；所述第三图形包括第一子矩形、第二子矩形和第三子矩形；其中，所述第一子矩形和所述第三子矩形分别垂直设置于所述第二子矩形的两侧，所述第一子矩形的延伸方向与所述第三子矩形的延伸方向相反； 所述根据所述第三覆铜图形对所述非图形区域进行覆铜操作，包括： 根据所述第一残铜率、所述初始长度和所述初始宽度调节所述第三子矩形的子长度，以及所述第三子矩形的子宽度和相邻两个所述第三子矩形之间的第三间距； 根据调节后的所述第三覆铜图形对所述非图形区域进行覆铜操作。

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