东京毅力科创株式会社H·吉姆·富尔福德获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利使用多维激光退火的高密度逻辑形成获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114365275B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080064216.8，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权使用多维激光退火的高密度逻辑形成是由H·吉姆·富尔福德;马克·加德纳;杰弗里·史密斯;拉尔斯·利布曼;丹尼尔·沙内穆加梅设计研发完成，并于2020-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本使用多维激光退火的高密度逻辑形成在说明书摘要公布了：描述了形成晶体管器件的方法，该方法包括：在衬底上形成第一晶体管平面，该第一晶体管平面包括适用于形成场效应晶体管的沟道的至少一层外延膜；在该第一晶体管平面上沉积第一绝缘体层；在该第一绝缘体层上沉积第一多晶硅层；使用激光加热对该第一多晶硅层进行退火。该激光加热增加了该第一多晶硅层的晶粒尺寸。该方法还包括：在该第一多晶硅层上形成第二晶体管平面，该第二晶体管平面适用于形成场效应晶体管的沟道；在该第二晶体管平面上沉积第二绝缘体层；在该第二绝缘体层上沉积第二多晶硅层；以及使用激光加热对该第二多晶硅层进行退火。
本发明授权使用多维激光退火的高密度逻辑形成在权利要求书中公布了：1.一种形成晶体管器件的方法，所述方法包括： 在衬底上形成第一晶体管平面，所述第一晶体管平面包括多个场效应晶体管； 在所述第一晶体管平面上沉积第一绝缘体层； 在所述第一绝缘体层上沉积第一多晶硅层，其中，所述第一绝缘体层将所述第一多晶硅层与所述第一多晶硅层下面的半导体材料分开；以及 使用激光加热对所述第一多晶硅层进行退火，所述激光加热增加了所述第一多晶硅层的晶粒尺寸， 其中，执行使用激光加热对所述第一多晶硅层进行退火，使得加热量和持续时间以多晶硅为目标并且下层不被加热到预定温度以上。
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