长江存储科技有限责任公司张权获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体器件的制作方法、半导体器件及三维存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114175218B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180004315.1，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体器件的制作方法、半导体器件及三维存储器是由张权;姚兰;吴加吉;朱贝贝设计研发完成，并于2021-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制作方法、半导体器件及三维存储器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件的制作方法、半导体器件及三维存储器。所述方法包括：在衬底中形成浅槽隔离沟槽，所述浅槽隔离沟槽位于衬底的有源区的周侧；在所述浅槽隔离沟槽中形成底部隔离层；在衬底的沟道区上形成栅极结构；在有源区的侧壁上形成硬绝缘层，使硬绝缘层覆盖衬底的源极区和漏极区。
本发明授权半导体器件的制作方法、半导体器件及三维存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制作方法，其中，包括： 在衬底中形成浅槽隔离沟槽，所述衬底包括有源区，所述浅槽隔离沟槽位于所述有源区的周侧，所述有源区包括依次连接的源极区、沟道区和漏极区； 在所述浅槽隔离沟槽中形成底部隔离层； 在所述沟道区上形成栅极结构； 在所述浅槽隔离沟槽的侧壁形成侧墙； 在所述源极区的上表面和所述漏极区的上表面形成欧姆接触层； 在所述有源区的侧壁上形成硬绝缘层，使所述硬绝缘层覆盖所述源极区和所述漏极区，所述硬绝缘层覆盖所述侧墙的表面，且所述欧姆接触层与所述侧墙之间具有部分所述硬绝缘层；以及 形成第一触点结构和第二触点结构，所述第一触点结构连接所述源极区，所述第二触点结构连接所述漏极区，所述第一触点结构和第二触点结构部分穿过所述硬绝缘层且部分位于所述硬绝缘层上。
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