中国电子科技集团公司第十一研究所折伟林获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十一研究所申请的专利自动测试大尺寸硅基碲镉汞薄膜厚度的装置及测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141644B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111307954.3，技术领域涉及：H10P74/00；该发明授权自动测试大尺寸硅基碲镉汞薄膜厚度的装置及测试方法是由折伟林;李乾;师景霞;邢伟荣;李达设计研发完成，并于2021-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本自动测试大尺寸硅基碲镉汞薄膜厚度的装置及测试方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种自动测试大尺寸硅基碲镉汞薄膜厚度的装置及测试方法，本发明通过设计自动旋转样品的旋转台来实现小行程样品台即可以测试6英寸等更大尺寸的硅基碲镉汞薄膜材料的功能，结合数据拼接软件可以将4个象限的测试结果进行拼接，从而实现准确测定6英寸硅基碲镉汞薄膜材料的Mapping厚度，进而有效解决了现有不能对大尺寸的硅基碲镉汞薄膜材料进行厚度测试的问题。
本发明授权自动测试大尺寸硅基碲镉汞薄膜厚度的装置及测试方法在权利要求书中公布了：1.一种自动测试大尺寸硅基碲镉汞薄膜厚度的装置，其特征在于，包括：旋转台，以及设置在所述旋转台上的待测硅基碲镉汞薄膜样品槽和背景片，所述旋转台还与动力装置相连； 通过所述动力装置控制所述旋转台绕所述旋转台的中心点进行旋转，以带动所述待测硅基碲镉汞薄膜样品槽上的待测硅基碲镉汞薄膜样品进行旋转，并控制所述旋转台的旋转角度，以使得所述待测硅基碲镉汞薄膜样品旋转到任意待测位置，并通过测试装置来对所述待测硅基碲镉汞薄膜样品的厚度进行测量； 所述待测硅基碲镉汞薄膜样品的直径大于6英寸。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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