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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利存储器单元编程获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121095B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111010452.4，技术领域涉及：G11C16/04；该发明授权存储器单元编程是由C·H·萧;M·皮卡尔迪;Q·V·阮设计研发完成，并于2021-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器单元编程在说明书摘要公布了：本公开涉及存储器单元编程。具有存储器单元阵列和各自连接到所述存储器单元阵列中的相应多个存储器单元的多个存取线的存储器可包含控制器，所述控制器经配置以使所述存储器进行以下操作：将具有第一目标电压电平和第一脉冲宽度的相应编程脉冲施加到所述多个存取线的第一存取线子集中的每一存取线；和将具有所述第一目标电压电平和比所述第一脉冲宽度长的第二脉冲宽度的相应编程脉冲施加到所述多个存取线的第二存取线子集中的每一存取线，其中所述第一存取线子集中的每一存取线比所述第二存取线子集中的每一存取线更接近串联连接的存储器单元串的特定端。

本发明授权存储器单元编程在权利要求书中公布了：1.一种存储器，其包括： 存储器单元阵列，其包括多个串联连接的存储器单元串； 多个存取线，其中所述多个存取线中的每一存取线连接到所述存储器单元阵列中的相应多个存储器单元；和 用于所述存储器单元阵列的存取的控制器，其中所述控制器经配置以使所述存储器进行以下操作： 在对所述多个存取线中的每一存取线的所述相应多个存储器单元进行编程期间，将具有第一目标电压电平和第一脉冲宽度的相应编程脉冲施加到所述多个存取线的第一存取线子集中的每一存取线，其中所述第一存取线子集中的每一存取线连接到所述多个串联连接的存储器单元串中的串联连接的存储器单元串的相应存储器单元；和 在所述对所述多个存取线中的每一存取线的所述相应多个存储器单元进行编程期间，将具有所述第一目标电压电平和比所述第一脉冲宽度长的第二脉冲宽度的相应编程脉冲施加到所述多个存取线的第二存取线子集中的每一存取线，其中所述第二存取线子集中的每一存取线连接到所述串联连接的存储器单元串的相应存储器单元，且其中所述第一存取线子集中的每一存取线比所述第二存取线子集中的每一存取线更接近所述串联连接的存储器单元串的特定端。

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