日月光半导体制造股份有限公司叶昶麟获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体封装结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113851431B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110919264.7，技术领域涉及：H10W74/10；该发明授权半导体封装结构及其形成方法是由叶昶麟;黄耀霆设计研发完成，并于2021-08-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体封装结构及其形成方法。半导体封装结构包括：基板；中介层，电连接于基板的上表面，中介层包括分别设置有IO的第一IO面和第二IO面，第一IO面与第二IO面不平行，中介层内包括分别与第一IO面处的IO和第二IO面处的IO连接的迹线和通孔，其中，第一IO面处的IO或第二IO面处的IO中的一个是通孔切面，在俯视图中，通孔切面处的IO是多个非同心圆通孔堆叠的一部分。
本发明授权半导体封装结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括： 基板； 中介层，电连接于所述基板的上表面，所述中介层包括分别设置有IO的第一IO面和第二IO面，所述第一IO面与所述第二IO面不平行，所述中介层内包括分别与所述第一IO面处的IO和所述第二IO面处的IO连接的迹线和通孔， 其中，所述第一IO面处的IO或所述第二IO面处的IO中的一个是通孔切面，在俯视图中，所述通孔切面处的IO是多个非同心圆通孔堆叠的一部分，其中，所述通孔切面在垂直于所述多个非同心圆通孔堆叠的方向上延伸，并且其中，在沿着所述多个非同心圆堆叠的方向上，所述通孔切面处的IO具有不同的宽度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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