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龙图腾网获悉朗姆研究公司申请的专利用于斜面蚀刻器的下等离子体排除区域环获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112913000B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980068405.X，技术领域涉及：H10P72/76；该发明授权用于斜面蚀刻器的下等离子体排除区域环是由金基灿;杰克·陈;格雷戈里·S·塞克斯顿设计研发完成，并于2019-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于斜面蚀刻器的下等离子体排除区域环在说明书摘要公布了：一种用于处理衬底的衬底处理系统包含上等离子体排除区域环，其在所述衬底的斜面边缘的等离子体处理期间配置在所述衬底上方。上部电极在所述等离子体处理期间配置在所述衬底上方。下等离子体排除区域环在所述等离子体处理期间至少部分配置在所述衬底下方。下部电极在所述等离子体处理期间至少部分配置在所述衬底下方。所述下等离子体排除区域环包含环形体，该环形体具有：下部，其至少部分配置在所述衬底下方；以及向上突出的凸缘，其在与所述衬底的径向外缘隔开的位置从所述环形体的所述下部向上延伸。所述向上突出的凸缘包含最上方表面，其在竖直方向上延伸至所述衬底的中间部和所述衬底的所述中间部上方两者中的一者。

本发明授权用于斜面蚀刻器的下等离子体排除区域环在权利要求书中公布了：1.一种用于处理衬底的衬底处理系统，其包含： 上等离子体排除区域环，其在所述衬底的斜面边缘的等离子体处理期间配置在所述衬底上方； 上部电极，其在所述等离子体处理期间配置在所述衬底上方； 下等离子体排除区域环，其在所述等离子体处理期间至少部分配置在所述衬底下方； 下部电极，其在所述等离子体处理期间至少部分配置在所述衬底下方， 其中所述下等离子体排除区域环包含环形体，其具有： 下部，其中所述下部包括第一环形台阶和第二环形台阶，所述第一环形台阶包括第一横向延伸的上表面，所述第二环形台阶包括第二横向延伸的上表面并且从所述第一环形台阶向上且径向向外延伸；以及 向上突出的凸缘，其在与所述衬底的径向外缘隔开的位置从所述环形体的所述下部的所述第二环形台阶向上延伸，其中所述向上突出的凸缘包含： 侧表面，其竖直延伸并邻近所述衬底的所述径向外缘，以限制撞击所述衬底的所述径向外缘的下部的离子量，以及 最上方表面，其朝所述衬底的所述径向外缘的中间部横向延伸。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人朗姆研究公司，其通讯地址为：美国加利福尼亚州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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