迪睿合株式会社菅原淳一获国家专利权
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龙图腾网获悉迪睿合株式会社申请的专利光学元件及其制造方法以及投射型图像显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112859228B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010759429.4，技术领域涉及：G02B5/30；该发明授权光学元件及其制造方法以及投射型图像显示装置是由菅原淳一;佐佐木正俊;大岛大命;水间纯一设计研发完成，并于2020-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本光学元件及其制造方法以及投射型图像显示装置在说明书摘要公布了：本发明提供使用激光光源的情况下耐久性也优异的光学元件等。该光学元件包括：对于使用波长频带的光而言透明的基板；防反射层；匹配层；以及由斜角蒸镀膜构成的双折射层，相对于使用波长频带的光的光学损耗为1.0％以下。
本发明授权光学元件及其制造方法以及投射型图像显示装置在权利要求书中公布了：1.一种光学元件，其特征在于，包括： 对于使用波长频带的光而言透明的基板； 防反射层； 匹配层；以及 由斜角蒸镀膜构成的双折射层， 所述光学元件是仅通过所述双折射层提供位相差的光学元件， 所述防反射层和所述匹配层的至少任一层具有含有Nb氧化物膜和含有Si氧化物膜， 所述含有Nb氧化物膜是使用惰性气体和氧气的混合气体，所述混合气体中的氧流量比[氧气流量惰性气体流量＋氧气流量]为18％以上且25％以下并通过以Nb为靶的反应性溅射法来成膜的含有Nb氧化物膜，所述含有Si氧化物膜是使用惰性气体和氧气的混合气体，所述混合气体中的氧流量比氧气流量惰性气体流量＋氧气流量为12％以上且20％以下并通过以Si为靶的反应性溅射法来成膜的含有Si氧化物膜，以使得相对于使用波长频带的光的光学损耗为1.0％以下。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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