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龙图腾网获悉富士电机株式会社申请的专利碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112466752B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010766060.X，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法是由大瀬直之;小岛贵任设计研发完成，并于2020-08-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供作为混合有肖特基结和pn结的JBS结构的碳化硅二极管，维持SBD结构的低正向电压且提高浪涌电流耐量的碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法。使依次层叠与在氧化膜51的开口部51a、51b分别露出的p型区13和FLR21的连接区域20a部分整体接触的铝膜53和镍膜54而成的金属材料膜52与半导体基板30在低温和高温的两次热处理中发生反应，而自对准地在氧化膜51形成镍硅化物膜33。接下来，在去除剩余金属后，仅残留氧化膜51中的场氧化膜15部分，在场氧化膜15的接触孔15a所露出的有源区10和连接区域20a形成与n‑型漂移区12进行肖特基接合的钛膜31。

本发明授权碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，所述碳化硅半导体装置在由碳化硅构成的半导体基板具备有源区、包围所述有源区的周围的终端区、在所述终端区中设置在所述半导体基板的第一主面上的氧化膜、以及设置在所述有源区与所述氧化膜之间的连接区域，所述碳化硅半导体装置的制造方法包括： 第一工序，在所述半导体基板的内部形成构成所述半导体基板的第一主面的第一导电型区； 第二工序，在所述有源区中，在所述第一导电型区的位于所述半导体基板的第一主面侧的表面区域选择性地形成第一个第二导电型区； 第三工序，在所述连接区域的整个区域中，在所述第一导电型区的位于所述半导体基板的第一主面侧的表面区域形成第二个第二导电型区； 第四工序，在所述半导体基板的第一主面形成覆盖所述第一导电型区、所述第一个第二导电型区和所述第二个第二导电型区的所述氧化膜； 第五工序，选择性地去除所述氧化膜而在所述氧化膜形成将所述第一个第二导电型区露出的第一开口部、和将所述连接区域中的所述第二个第二导电型区露出的第二开口部； 第六工序，依次层叠含有铝的金属膜和镍膜而形成金属材料膜，该金属材料膜在所述氧化膜的所述第一开口部和所述第二开口部中与所述半导体基板的第一主面接触； 第七工序，通过第一热处理使所述金属材料膜与所述半导体基板发生反应，在所述半导体基板的位于所述氧化膜的所述第一开口部和所述第二开口部中的第一主面上以所述氧化膜为掩模而自对准地生成化合物层； 第八工序，在所述第七工序之后，去除所述金属材料膜的除了所述化合物层之外的剩余部分； 第九工序，在所述第八工序之后，通过比所述第一热处理更高温度的第二热处理，在所述化合物层的内部生成镍硅化物，而形成与所述半导体基板进行欧姆接合的镍硅化物膜； 第十工序，在所述第九工序之后，去除所述氧化膜的在所述有源区的部分而形成将所述第一开口部和所述第二开口部全部连接而成的接触孔； 第十一工序，在所述接触孔的内部，在所述半导体基板的第一主面上依次层叠与所述第一导电型区接触而与所述第一导电型区进行肖特基接合的钛膜和含有铝的金属电极膜，从而形成第一电极；以及 第十二工序，在所述半导体基板的第二主面形成第二电极。

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