三星电子株式会社宋时虎获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利三维半导体存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112086475B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010115013.9，技术领域涉及：H10B63/00；该发明授权三维半导体存储器装置是由宋时虎;朴正熙;赵昶贤设计研发完成，并于2020-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维半导体存储器装置在说明书摘要公布了：提供了一种三维半导体存储器装置，所述三维半导体存储器装置包括：多条第一导线，在第一方向上水平延伸；第二导线，在与第一方向垂直的第二方向上竖直延伸；以及存储器单元，位于第一导线和第二导线之间的交叉点处。所述多条第一导线在与第一方向交叉的第三方向上彼此侧向地间隔开。每个存储器单元包括水平布置的可变电阻元件和开关元件。可变电阻元件包括：第一可变电阻图案和第二可变电阻图案，布置在第二方向上；第一电极，位于第一可变电阻图案与第一导线之间；第二电极，位于第二可变电阻图案与第二导线之间；以及第三电极，位于第一可变电阻图案与第二可变电阻图案之间。
本发明授权三维半导体存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种三维半导体存储器装置，所述三维半导体存储器装置包括： 基底； 多条第一导线，在与基底的上表面平行的第一方向上延伸，并且在与第一方向交叉且与基底的上表面平行的第二方向上彼此间隔开； 第二导线，在与基底的上表面垂直的第三方向上延伸；以及 多个存储器单元，位于所述多条第一导线与第二导线之间的交叉点处，所述多个存储器单元中的每个存储器单元包括在第二方向上水平布置的可变电阻元件和开关元件， 其中，可变电阻元件包括： 第一可变电阻图案和第二可变电阻图案，布置在第二方向上； 第一电极，位于第一可变电阻图案与第一导线之间； 第二电极，位于第二可变电阻图案与第二导线之间；以及 第三电极，位于第一可变电阻图案与第二可变电阻图案之间，第一电极、第二电极和第三电极具有不同的电阻率， 其中，第一可变电阻图案和第二可变电阻图案中的每个包括：侧壁部分，与第一导线相邻；以及多个水平部分，从侧壁部分的相对的端部在第二方向上延伸， 其中，第一可变电阻图案和第二可变电阻图案的所述多个水平部分接触第二导线。
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