意法半导体公司柳青获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体公司申请的专利双宽度鳍式场效应晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112054058B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011003160.3，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权双宽度鳍式场效应晶体管是由柳青设计研发完成，并于2015-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本双宽度鳍式场效应晶体管在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及双宽度鳍式场效应晶体管。公开了一种双宽度的SOIFinFET，其中应变的鳍的不同部分具有不同的宽度。一种制造这种双宽度的FinFET的方法包括利用湿化学蚀刻工艺对在源极区域和漏极区域中的应变的鳍进行横向凹陷化，从而保持鳍中的高度应变而同时将在源极区域和漏极区域中的鳍的宽度修剪到小于5nm。所得到的FinFET的特征在于在栅极下面的沟道区域中的鳍的较宽部分以及在源极区域和漏极区域中的鳍的较窄部分。较窄的鳍的优势在于在外延的升高的源极区域和漏极区域的生长期间其可以更为容易地被掺杂。
本发明授权双宽度鳍式场效应晶体管在权利要求书中公布了：1.一种用于制造鳍式场效应晶体管的方法，包括： 在衬底上形成应变的硅鳍，所述应变的硅鳍具有第一鳍宽度； 在所述应变的硅鳍上形成第一氧化物层； 在所述应变的硅鳍和所述第一氧化物层上形成栅极结构，所述栅极结构覆盖所述应变的硅鳍的第一部分，并且使所述应变的硅鳍的第二部分暴露； 在所述应变的硅鳍的所述第二部分的第一侧上形成第二氧化物层，所述第二氧化物层使所述应变的硅鳍的所述第二部分的第二侧和第三侧暴露； 当所述第二氧化物层在所述应变的硅鳍的所述第二部分的所述第一侧上时，将所述应变的硅鳍的所述第二部分减薄至第二鳍宽度； 去除所述第二氧化物层；以及 在所述第二氧化物层被去除后，在所述应变的硅鳍的所述第二部分上形成源极区域和漏极区域，所述源极区域和所述漏极区域包裹围绕所述应变的硅鳍的所述第一侧、所述第二侧和所述第三侧。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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