泰科天润半导体科技(北京)有限公司周海获国家专利权
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龙图腾网获悉泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种低导通电阻沟槽栅碳化硅VDMOS获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223758659U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423285931.9，技术领域涉及：H10D30/66；该实用新型一种低导通电阻沟槽栅碳化硅VDMOS是由周海;施广彦;胡臻;何佳设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低导通电阻沟槽栅碳化硅VDMOS在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种低导通电阻沟槽栅碳化硅VDMOS，包括：漂移层连接至碳化硅衬底；低阻区下侧面连接至漂移层，低阻区上设有凸起部，凸起部内设有凹槽；P+阱区下侧面连接至低阻区上侧面，P+阱区内侧面连接至凸起部外侧面；P型阱区外侧面连接至P+阱区，P型阱区下侧面连接至凸起部上侧面以及P+阱区；P型阱区上设有N型源区；绝缘介质层穿过N型源区以及P型阱区，绝缘介质层下部设于凹槽内；绝缘介质层内设有悬浮栅以及沟槽，沟槽位于悬浮栅上方；栅极金属层设于沟槽内；源极金属层分别连接N型源区、P型阱区以及P+阱区；漏极金属层上侧面连接至碳化硅衬底下侧面，降低栅漏电容，提高器件的开关速度，降低开关损耗。
本实用新型一种低导通电阻沟槽栅碳化硅VDMOS在权利要求书中公布了：1.一种低导通电阻沟槽栅碳化硅VDMOS，其特征在于：包括： 碳化硅衬底， 漂移层，所述漂移层下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面； 低阻区，所述低阻区下侧面连接至所述漂移层，所述低阻区上设有凸起部，所述凸起部内设有凹槽； P+阱区，所述P+阱区下侧面连接至所述低阻区上侧面，所述P+阱区内侧面连接至所述凸起部外侧面； P型阱区，所述P型阱区外侧面连接至所述P+阱区，所述P型阱区下侧面连接至所述凸起部上侧面以及P+阱区；所述P型阱区上设有N型源区； 绝缘介质层，所述绝缘介质层穿过所述N型源区以及P型阱区，所述绝缘介质层下部设于所述凹槽内；所述绝缘介质层内设有悬浮栅以及沟槽，所述沟槽位于所述悬浮栅上方； 栅极金属层，所述栅极金属层设于所述沟槽内； 源极金属层，所述源极金属层分别连接所述N型源区、P型阱区以及P+阱区； 以及，漏极金属层，所述漏极金属层上侧面连接至所述碳化硅衬底下侧面。
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