浙江大学杭州国际科创中心卢伟群获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学杭州国际科创中心申请的专利一种碳化硅生长装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223752949U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423189221.6，技术领域涉及：C30B11/00；该实用新型一种碳化硅生长装置是由卢伟群;杨珂;陈王华;皮孝东;杨德仁设计研发完成，并于2024-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅生长装置在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种碳化硅生长装置，包括石墨坩埚、第一加热组件和第二加热组件；所述石墨坩埚用于容纳硅溶液；所述第一加热组件设置在所述石墨坩埚的底壁处，所述第一加热组件用于减少所述硅溶液在所述石墨坩埚径向上的温度梯度；所述第二加热组件设置在所述石墨坩埚的侧壁处，所述第二加热组件用于减少所述硅溶液在所述石墨坩埚轴向上的温度梯度。第一加热组件和第二加热组件的实际效果可以互补，通过第一加热组件和第二加热组件的相互配合，可以使硅溶液在石墨坩埚轴向和径向上的温度均匀性同时获得提升，有效提升了籽晶杆下端温度的可控性和可预测性，籽晶杆下端温度能够很好地维持在碳化硅的理想生长温度范围，以此提升碳化硅的生长质量。
本实用新型一种碳化硅生长装置在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅生长装置，其特征在于，包括石墨坩埚1、第一加热组件2和第二加热组件3； 所述石墨坩埚1用于容纳硅溶液100； 所述第一加热组件2设置在所述石墨坩埚1的底壁处，所述第一加热组件2用于减少所述硅溶液100在所述石墨坩埚1径向上的温度梯度； 所述第二加热组件3设置在所述石墨坩埚1的侧壁处，所述第二加热组件3用于减少所述硅溶液100在所述石墨坩埚1轴向上的温度梯度。
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