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龙图腾网获悉江苏芯德半导体科技股份有限公司申请的专利超声波指纹芯片封装结构及其封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121033904B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511528693.6，技术领域涉及：G06V40/13；该发明授权超声波指纹芯片封装结构及其封装方法是由方光军;龙欣江;徐冬平;程李标;梅万元设计研发完成，并于2025-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本超声波指纹芯片封装结构及其封装方法在说明书摘要公布了：本发明提供了超声波指纹芯片封装结构及其封装方法，利用该封装方法制备的超声波指纹芯片封装结构包括来料晶圆，来料晶圆的第一表面自下而上设有底电极、压电层、顶电极和保护层，底电极为多个非连续的分区结构；底电极的分区结构之间没有电性连接；底电极的分区结构表面设有压电层、顶电极和保护层，顶电极采用脉冲电镀结合双层电镀的方式制备，保护层完全覆盖顶电极及压电层所有暴露的表面；来料晶圆的第一表面还设有连接柱，用于和外部电路连接。本发明提升了芯片的良率和使用寿命，实现了超声波指纹芯片的高可靠性、高性能及大规模稳定生产，可广泛应用于移动终端、支付安全及生物识别领域。

本发明授权超声波指纹芯片封装结构及其封装方法在权利要求书中公布了：1.超声波指纹芯片封装方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤： S1、提供来料晶圆，在来料晶圆的第一表面形成底电极和接线柱，所述底电极为多个非连续的分区结构；底电极的分区结构之间没有电性连接；所述接线柱包括底电极接线柱和顶电极接线柱，所述底电极与底电极接线柱电性连接； S2、在底电极表面制备压电层； S3、在压电层表面制备顶电极，顶电极与顶电极接线柱电性连接，顶电极的制备采用脉冲电镀结合双层电镀的方式，具体方法为： S301、在压电层和接线柱表面以不超过95℃的温度溅射金属导电层，在来料晶圆第一表面涂覆的第四光刻胶，第四光刻胶覆盖金属导电层；经过曝光和显影工艺形成具有第四开口的光阻图形，第四开口暴露压电层表面的部分金属导电层，压电层表面边缘的金属导电层不暴露在第四开口内，防止出现短路现象； S302、在第四开口内进行第一次脉冲电镀形成第一导电金属部； S303、去除第四光刻胶，重新涂覆第五光刻胶，经过曝光和显影工艺形成具有第五开口的光阻图形，第五开口设置在靠近接线柱的压电层和第一导电金属部的侧面；在第五开口内和第一导电金属部表面进行第二次脉冲电镀形成第二导电金属部，第二导电金属部使得第一导电金属部与靠近接线柱的压电层侧面实现互联；去除剩余的第五光刻胶和部分金属导电层，完成顶电极的制备； S4、在顶电极表面形成保护层，保护层完全覆盖顶电极及压电层所有暴露的表面，形成超声波指纹芯片封装。

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