深圳黑晶光电技术有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳黑晶光电技术有限公司申请的专利钙钛矿晶硅叠层电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120957552B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511472985.2，技术领域涉及：H10K39/15；该发明授权钙钛矿晶硅叠层电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统是由请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2025-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本钙钛矿晶硅叠层电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统在说明书摘要公布了：本申请涉及电池技术领域，公开了一种钙钛矿晶硅叠层电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统。钙钛矿晶硅叠层电池的制作方法包括：提供硅基板，硅基板包括相对设置的第一面和第二面；在硅基板的第一面制作依次层叠设置的P型掺杂层、第一电极层；在硅基板的第二面制作依次层叠设置的N型掺杂层、隧穿层、空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层、缓冲层、第二电极层、减反射层；其中，制作缓冲层包括：采用等离子体增强原子层沉积法在电子传输层远离钙钛矿层的一侧形成缓冲层。本申请提供的技术方案，能够提高钙钛矿晶硅叠层电池的长期稳定性。
本发明授权钙钛矿晶硅叠层电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统在权利要求书中公布了：1.一种钙钛矿晶硅叠层电池的制作方法，其特征在于，包括： 提供硅基板，所述硅基板包括相对设置的第一面和第二面； 在所述硅基板的第一面制作依次层叠设置的P型掺杂层、第一电极层； 在所述硅基板的第二面制作依次层叠设置的N型掺杂层、隧穿层、空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层、缓冲层、第二电极层、减反射层； 其中，制作所述缓冲层包括：采用等离子体增强原子层沉积法在所述电子传输层远离所述钙钛矿层的一侧形成所述缓冲层； 采用等离子体增强原子层沉积法在所述电子传输层远离所述钙钛矿层的一侧形成所述缓冲层，包括： 利用原子层沉积设备在所述电子传输层远离所述钙钛矿层的一侧沉积SnO2薄膜； 利用等离子体发生设备对所述SnO2薄膜进行表面改性，所述等离子体发生设备内的工作气体包括氩气和氧气。
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