深圳天狼芯半导体有限公司乔凯获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳天狼芯半导体有限公司申请的专利一种新型栅极碳化硅功率器件及其制备方法、芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120882061B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511404994.8，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种新型栅极碳化硅功率器件及其制备方法、芯片是由乔凯设计研发完成，并于2025-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种新型栅极碳化硅功率器件及其制备方法、芯片在说明书摘要公布了：本申请属于功率器件技术领域，提供了一种新型栅极碳化硅功率器件及其制备方法、芯片，通过在电流扩展层、P型阱区以及N型重掺杂区上形成有氮化镓层，氮化镓层覆盖P型阱区和电流扩展层，氧化镓层形成于氮化镓层上，高K介质层形成于氧化镓层上，栅极层形成于高K介质层上，从而由氮化镓层、氧化镓层以及高K介质层形成复合栅介质结构，有利于降低器件的导通电阻。
本发明授权一种新型栅极碳化硅功率器件及其制备方法、芯片在权利要求书中公布了：1.一种新型栅极碳化硅功率器件，其特征在于，所述新型栅极碳化硅功率器件包括： 碳化硅衬底； 形成于所述碳化硅衬底正面的N型漂移区； 形成于所述N型漂移区上的电流扩展层； 形成于所述N型漂移区上，且位于所述电流扩展层两侧的P型阱区； 形成于所述N型漂移区上的P型重掺杂区；其中，所述P型重掺杂区所述电流扩展层之间由所述P型阱区隔离； 形成于所述P型阱区上的N型重掺杂区；其中，所述N型重掺杂区与相邻位置的所述电流扩展层之间由所述P型阱区隔离，所述N型重掺杂区与对应的P型重掺杂区接触，所述N型重掺杂区的厚度小于所述P型阱区的厚度； 形成于所述电流扩展层、所述P型阱区以及所述N型重掺杂区上的氮化镓层，所述氮化镓层覆盖所述P型阱区和所述电流扩展层； 形成于所述氮化镓层上的氧化镓层； 形成于所述氧化镓层上的高K介质层；其中，所述氮化镓层、所述氧化镓层以及所述高K介质层形成复合栅介质结构； 形成于高K介质层上的栅极层； 层间介质层，与所述高K介质层形成封闭结构以包裹所述栅极层； 覆盖于所述层间介质层、所述N型重掺杂区以及所述P型重掺杂区的第一电极层； 形成于所述碳化硅衬底背面的第二电极层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳天狼芯半导体有限公司，其通讯地址为：518063 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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