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龙图腾网获悉内蒙古大学申请的专利一种CdSe/CdS胶体半导体纳米晶二聚体的合成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120865887B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511366677.1，技术领域涉及：C09K11/02；该发明授权一种CdSe/CdS胶体半导体纳米晶二聚体的合成方法是由雷海瑞;方可可;胡智昶设计研发完成，并于2025-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种CdSe/CdS胶体半导体纳米晶二聚体的合成方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种CdSeCdS胶体半导体纳米晶二聚体的合成方法，该方法将合成好的纤锌矿CdSeCdS胶体半导体纳米晶的甲苯溶液通过使用多级溶剂沉淀策略，制备得到单分散纤锌矿CdSeCdS胶体半导体纳米晶单体；随后在惰性气氛下，以支链长链烷基胺2‑辛基‑十二烷胺为配体，加热诱导上述纳米晶单体拼接，再次经过多级溶剂沉淀策略，最终实现拼接产率高达80%的CdSeCdS胶体半导体纳米晶二聚体的合成。本发明合成方法具有流程简便、制备快速且效率高的优势，所制备的胶体半导体纳米晶二聚体有望广泛应用于量子信息、光电器件及生物传感等前沿领域。

本发明授权一种CdSe/CdS胶体半导体纳米晶二聚体的合成方法在权利要求书中公布了：1.一种CdSeCdS胶体半导体纳米晶二聚体的合成方法，其特征在于，所述合成方法包括以下步骤： 步骤1：纤锌矿CdSeCdS胶体半导体纳米晶的提纯 A1：向纤锌矿CdSeCdS胶体半导体纳米晶的甲苯溶液中逐滴加入丙酮至溶液出现微浊，停止滴加丙酮，离心分离； A2：向A1离心分离所得上清液中加入丙酮，继续离心分离，上清液再进行前述加入丙酮和离心分离的操作，直至离心分离所得底部沉淀溶于甲苯后获得单分散纤锌矿CdSeCdS胶体半导体纳米晶的甲苯溶液； A3：向单分散纤锌矿CdSeCdS胶体半导体纳米晶的甲苯溶液中加入甲醇，80～100℃加热处理1～3min后离心分离，沉淀重新溶于甲苯并加入甲醇，再进行前述加热处理和离心分离；然后将沉淀溶于十八碳烯中，得到热提纯后的单分散纤锌矿CdSeCdS胶体半导体纳米晶分散液； 步骤2：CdSeCdS胶体半导体纳米晶二聚体的合成 将2-辛基-十二烷胺和十八碳烯混合，在惰性气体保护下升温至140～180℃，脱气10～15min后继续升温至240～290℃，然后加入上述热提纯后的单分散纤锌矿CdSeCdS胶体半导体纳米晶分散液，恒温搅拌反应20～80min，反应结束后冷却至室温，得到含CdSeCdS胶体半导体纳米晶二聚体的混合溶液； 步骤3：CdSeCdS胶体半导体纳米晶二聚体的分离提纯 B1：向含CdSeCdS胶体半导体纳米晶二聚体的混合溶液中加入其体积2～4倍的丙酮，离心分离，收集底部沉淀； B2：将B1中的沉淀溶于甲苯中，再向其中逐滴加入丙酮，直至溶液出现微浊，停止滴加丙酮，离心分离； B3：向B2离心分离所得上清液中加入丙酮，继续离心分离，上清液再进行前述加入丙酮和离心分离的操作，直至离心分离所得底部沉淀溶于甲苯后获得高产率的CdSeCdS胶体半导体纳米晶二聚体。

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