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龙图腾网获悉天合光能股份有限公司申请的专利太阳能电池及太阳能电池的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120857719B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511359159.7，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权太阳能电池及太阳能电池的制备方法是由高纪凡;周鑫达;宗建鹏;胡匀匀设计研发完成，并于2025-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本太阳能电池及太阳能电池的制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种太阳能电池及太阳能电池的制备方法，其包括半导体衬底、第一导电结构、第二导电结构以及可控电阻绝缘层。半导体衬底包括相对设置的第一面和第二面，第一面包括交替排布的第一区和第二区；第一导电结构至少设于第一区；第二导电结构至少设于第二区；第一导电结构的导电类型与第二导电结构的导电类型相反；沿垂直于第一面的方向，第一导电结构与第二导电结构具有重叠区；可控电阻绝缘层位于重叠区且设置于第一导电结构与第二导电结构之间。上述太阳能电池能够通过可控电阻绝缘层自身实现微漏电，进而缓解太阳能电池的热斑效应，使得太阳能电池整体的发电效率较为稳定，并且由于可控电阻绝缘层在加工制备时较为方便，加工成本较低。

本发明授权太阳能电池及太阳能电池的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括： 半导体衬底100，包括相对设置的第一面110和第二面120，所述第一面110包括交替排布的第一区111和第二区112； 第一导电结构200，至少设于所述第一区111； 第二导电结构300，至少设于所述第二区112；所述第一导电结构200的导电类型与所述第二导电结构300的导电类型相反；沿垂直于所述第一面110的方向，所述第一导电结构200与所述第二导电结构300具有重叠区； 可控电阻绝缘层400，位于所述重叠区且设置于所述第一导电结构200与所述第二导电结构300之间，所述可控电阻绝缘层400为掺杂半导体层；所述掺杂半导体层的掺杂元素为硼或磷，所述掺杂元素的浓度为5E18-1E21atcm3；所述第一区111为N区，所述第二区112为P区时，所述掺杂元素为硼；所述第一区111为P区，所述第二区112为N区时，所述掺杂元素为磷；所述可控电阻绝缘层400为连续结构； 其中，采用PECVD沉积可控电阻绝缘结构以及掩膜板410，通过激光器对所述可控电阻绝缘结构以及所述掩膜板410进行图案化处理，去除所述掩膜板410，并对激光开槽区域的氧化层以及所述可控电阻绝缘结构去除，以使剩余的所述可控电阻绝缘结构形成为所述可控电阻绝缘层400。

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