西安电子科技大学杭州研究院;西安电子科技大学方慈浙获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学杭州研究院;西安电子科技大学申请的专利一种功能可切换的氧化物异质结光电二极管及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120826029B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511328947.X，技术领域涉及：H10F30/222；该发明授权一种功能可切换的氧化物异质结光电二极管及制备方法是由方慈浙;岳梦悦;郭成飞;刘艳;韩根全设计研发完成，并于2025-09-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种功能可切换的氧化物异质结光电二极管及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件领域，公开了一种功能可切换的氧化物异质结光电二极管及制备方法，其包括依次设置的绝缘衬底、N型氧化物半导体和P型半导体；P型半导体和N型氧化物半导体的界面形成Ⅱ型能带接触异质PN结；绝缘衬底和N型氧化物半导体层叠设置；P型半导体局部沉积在N型氧化物半导体上；金属电极包括P型欧姆电极和N型欧姆电极，P型欧姆电极位于P型半导体上，N型欧姆电极位于N型氧化物半导体上。本发明采用P型半导体与N型氧化物半导体构建异质结，利用氧化物半导体中天然的氧空位缺陷能级在偏压下捕获或释放载流子的特性转换异质结电学特性，实现器件光电探测和感算功能切换。
本发明授权一种功能可切换的氧化物异质结光电二极管及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种功能可切换的氧化物异质结光电二极管，包括依次设置的绝缘衬底、N型氧化物半导体和P型半导体；其特征在于： P型半导体和N型氧化物半导体的界面形成Ⅱ型能带接触异质PN结，N型氧化物半导体存在可调控氧空位缺陷，氧空位缺陷浓度通过调整氧分压进行调控； 绝缘衬底和N型氧化物半导体层叠设置； P型半导体局部沉积在N型氧化物半导体上； 还包括金属电极；金属电极包括P型欧姆电极和N型欧姆电极，P型欧姆电极位于P型半导体上，N型欧姆电极位于N型氧化物半导体上。
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