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龙图腾网获悉天水华洋电子科技股份有限公司申请的专利一种集成电路质量测试方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120820837B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511316423.9，技术领域涉及：G01R31/28；该发明授权一种集成电路质量测试方法及系统是由康小明;马维维;杨荣;徐文彦;姚彦斌;郭芳军;白博设计研发完成，并于2025-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成电路质量测试方法及系统在说明书摘要公布了：本发明涉及集成电路质量测试技术领域，尤其是一种集成电路质量测试方法及系统，所述方法包括以下步骤：执行预设的测试指令集，对集成电路芯片进行电学参数测试；当检测到所述芯片的任一电学参数值偏离预设范围时，记录所述电学参数偏离预设范围时的初始电学参数测量值、测试指令序列的标识以及发生异常的芯片引脚编号；针对记录的测试指令序列的标识以及所述芯片引脚编号，重复执行所述测试指令序列，并在重复执行所述测试指令序列时，调整测试条件以改变所述芯片的电学裕量，以测量得到二次验证电学参数测量值；通过引入二次验证和电学裕量调整机制，能够有效区分由信号耦合噪声引起的虚假电学参数异常与芯片真实物理缺陷。

本发明授权一种集成电路质量测试方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种集成电路质量测试方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤： 执行预设的测试指令集，对集成电路芯片进行电学参数测试； 当检测到所述芯片的任一电学参数值偏离预设范围时，记录电学参数偏离预设范围时的初始电学参数测量值、测试指令序列的标识以及发生异常的芯片引脚编号； 针对记录的测试指令序列的标识以及所述芯片引脚编号，重复执行所述测试指令序列，并在重复执行所述测试指令序列时，调整测试条件以改变所述芯片的电学裕量，以测量得到二次验证电学参数测量值； 根据所述初始电学参数测量值与所述二次验证电学参数测量值之间的关系，判断电学参数异常是由信号耦合噪声引起还是由芯片真实物理缺陷引起，以得到判断结果； 根据所述判断结果，对所述芯片进行分类处理； 在芯片分类为非合格品时，所述方法还包括以下步骤： 将所述测试条件调整至预设的极限裕量状态，以改变所述芯片的电学裕量； 在调整后的测试条件下，再次测量所述芯片的电学参数，得到极限恢复值； 根据所述初始电学参数测量值、所述极限恢复值以及所述芯片的理想设计规范值，计算所述芯片的残余偏差和噪声偏差； 根据所述残余偏差和所述噪声偏差，对所述芯片的失效成分进行量化判断； 根据所述量化判断结果，对所述芯片进行精细化分类处理。

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