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龙图腾网获悉深圳优普莱等离子体技术有限公司;广东优普莱金刚石技术有限公司申请的专利一种基于MPCVD设备的电动点测温方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120820236B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511341642.2，技术领域涉及：G01J5/00；该发明授权一种基于MPCVD设备的电动点测温方法及系统是由全峰;顾亚骏;邬明旭设计研发完成，并于2025-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于MPCVD设备的电动点测温方法及系统在说明书摘要公布了：本发明属于金刚石培育技术领域，公开了一种基于MPCVD设备的电动点测温方法及系统，所述方法包括：通过上位机获取MPCVD设备中多个目标晶体的晶体图像，并确定晶体图像中每个目标晶体的晶体位置；当上位机接收到测温指令时，根据测温指令驱动所述步进电机，并通过所述步进电机带动光学平台；通过所述光学平台控制所述点测温仪进行俯仰运动和旋转运动，使所述点测温仪依次移动至每个所述晶体位置；通过所述点测温仪对每个所述晶体位置进行测温处理，得到每个所述目标晶体的腔内晶体温度。本发明通过采用步进电机来带动光学平台，并通过光学平台来控制点测温仪的空间角度和位置，能够实现对MPCVD设备中金刚石晶体温度的准确测量。

本发明授权一种基于MPCVD设备的电动点测温方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种基于MPCVD设备的电动点测温方法，其特征在于，所述基于MPCVD设备的电动点测温方法应用于基于MPCVD设备的电动点测温系统，所述基于MPCVD设备的电动点测温系统包括上位机、步进电机、光学平台以及点测温仪；所述基于MPCVD设备的电动点测温方法包括： 通过所述上位机获取MPCVD设备中多个目标晶体的晶体图像，并确定所述晶体图像中每个所述目标晶体的晶体位置； 当所述上位机接收到测温指令时，根据所述测温指令驱动所述步进电机，并通过所述步进电机带动光学平台； 通过所述光学平台控制所述点测温仪进行俯仰运动和旋转运动，使所述点测温仪依次移动至每个所述晶体位置； 通过所述点测温仪对每个所述晶体位置进行测温处理，得到每个所述目标晶体的腔内晶体温度； 所述通过所述上位机获取MPCVD设备中多个目标晶体的晶体图像，并确定所述晶体图像中每个所述目标晶体的晶体位置，具体包括： 确定所述MPCVD设备中的多个目标晶体，并通过预设工业相机对多个所述目标晶体进行实时拍摄，得到每个所述目标晶体的晶体图像； 将所述晶体图像发送至所述上位机，并通过所述上位机对所述晶体图像中每个所述目标晶体的预设测温位置进行标识处理，得到所述晶体图像中每个所述目标晶体的晶体位置； 所述光学平台控制所述点测温仪进行俯仰运动和旋转运动，使所述点测温仪依次移动至每个所述晶体位置，之前还包括： 所述上位机与所述点测温仪建立连接，并通过所述上位机将每个所述目标晶体的所述晶体位置发送至所述点测温仪； 通过所述点测温仪对每个所述晶体位置进行标识处理，得到多个红点测温位置，以避开等离子体的强发射波段，增强对热辐射信号的选择性； 所述通过所述光学平台控制所述点测温仪进行俯仰运动和旋转运动，使所述点测温仪依次移动至每个所述晶体位置，之后还包括： 当所述点测温仪依次移动至每个所述晶体位置时，对每个所述晶体位置进行校验处理； 若校验通过，所述上位机将每个所述晶体位置进行存储，并标注为电机绝对位置； 当再次对所述目标晶体进行测量时，所述步进电机和所述光学平台根据所述电机绝对位置控制所述点测温仪移动； 在测温结束后，保存晶体位置，将晶体位置记录为电机绝对位置，当需要对该晶体位置进行测温时，通过步进电机扫描所述电机绝对位置，无需通过上位机对晶体位置进行识别； 所述点测温仪为1.6μm或2.2μm波段滤光片的红外传感器。

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