买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉深圳云潼微电子科技有限公司;重庆云潼科技有限公司申请的专利一种平面栅IGBT器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120812964B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511315100.8，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权一种平面栅IGBT器件及其制作方法是由杨昆霖;张伟;廖光朝设计研发完成，并于2025-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种平面栅IGBT器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种平面栅IGBT器件及其制作方法，该器件包括：衬底、掺杂区和栅极区，以及与掺杂区一一对应设置的P型浮空区；栅极区位于衬底之上；掺杂区位于衬底上，以及位于栅极区之下，且位于栅极区的两端；掺杂区包括：N+源区和P型体区，N+源区位于P型体区之内，N+源区的表面、P型体区的表面和衬底的表面位于同一水平面；P型浮空区位于衬底内，以及位于栅极区之下，并位于掺杂区之间，且位于对应的P型体区侧方的指定区域，P型浮空区靠近P型体区且与P型体区非接触。通过该器件的结构设置，降低平面栅IGBT器件的导通压降，提高平面栅IBGT器件的可靠性和实用性。

本发明授权一种平面栅IGBT器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种平面栅IGBT器件，其特征在于，包括：衬底、掺杂区和栅极区，以及与所述掺杂区一一对应设置的P型浮空区；所述衬底的材料为N型单晶硅材料； 所述栅极区位于所述衬底之上； 所述掺杂区位于所述衬底上，以及位于所述栅极区之下，且位于所述栅极区的两端；所述掺杂区包括：N+源区和P型体区，所述N+源区位于所述P型体区之内，所述N+源区的表面、所述P型体区的表面和所述衬底的表面位于同一水平面； 所述P型浮空区位于所述衬底内，以及位于所述栅极区之下，并位于所述掺杂区之间，且位于对应的所述P型体区侧方的指定区域，所述P型浮空区靠近所述P型体区且与所述P型体区非接触，以实现所述平面栅IGBT器件的低导通压降；所述指定区域的垂直区域为所述P型体区的表面与所述P型体区的底部至下方15um之间的区域；所述指定区域的水平区域为所述P型体区的相邻侧与厚氧层的指定侧之间的区域，其中，所述P型体区的相邻侧为所述P型体区相邻另一个所述掺杂区的所述P型体区的一侧，所述厚氧层的指定侧为所述厚氧层与所述P型体区最近的一侧； 所述栅极区包括：栅极氧化层、厚氧层和栅极多晶硅； 所述栅极氧化层和所述厚氧层位于所述衬底的表面上，所述栅极氧化层位于所述厚氧层的两侧； 所述栅极多晶硅位于所述栅极氧化层和所述厚氧层之上； 其中，所述栅极多晶硅呈具有凹槽的曲状，所述栅极多晶硅的凹槽覆盖所述厚氧层，以通过所述厚氧层能承受更高的电场，实现器件的高压应用。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳云潼微电子科技有限公司;重庆云潼科技有限公司，其通讯地址为：518122 广东省深圳市坪山区坑梓街道秀新社区秀盛一路7号C栋405；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。