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龙图腾网获悉深圳市埃芯半导体科技有限公司申请的专利一种测量材料掺杂组分含量的方法及其X射线量测设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120801380B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511274436.4，技术领域涉及：G01N23/20；该发明授权一种测量材料掺杂组分含量的方法及其X射线量测设备是由请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2025-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种测量材料掺杂组分含量的方法及其X射线量测设备在说明书摘要公布了：本申请提供一种测量材料掺杂组分含量的方法及其X射线量测设备，其方法包括：获取结晶材料的X射线反射谱、X射线荧光谱以及X射线衍射谱；结合所述X射线反射谱、X射线荧光谱以及X射线衍射谱，解析计算得到所述结晶材料中第一掺杂元素的真实浓度及其对应的第一晶格参数和名义浓度及其对应的第二晶格参数；根据所述第一掺杂元素的真实浓度及其对应的第一晶格参数和名义浓度及其对应的第二晶格参数，计算得到所述结晶材料中第二掺杂元素的浓度。该方法结合X射线的反射、荧光、衍射三种技术来测量结晶材料中的掺杂组分含量，可以直接解析计算出结晶材料中各元素的浓度及相关参数性质，无需特殊的样品制备，无需真空环境条件，且测量时间短。

本发明授权一种测量材料掺杂组分含量的方法及其X射线量测设备在权利要求书中公布了：1.一种测量材料掺杂组分含量的方法，其特征在于，包括： 获取结晶材料的X射线谱，所述X射线谱包括X射线反射谱、X射线荧光谱以及X射线衍射谱； 根据所述X射线反射谱解析得到所述结晶材料的厚度，根据所述X射线荧光谱解析得到所述结晶材料中第一掺杂元素的特征峰，根据所述厚度和所述特征峰计算得到所述第一掺杂元素的真实浓度及其对应的第一晶格参数，根据所述X射线衍射谱解析得到所述第一掺杂元素的衍射峰，根据所述衍射峰计算得到所述第一掺杂元素的名义浓度及其对应的第二晶格参数，所述第一掺杂元素为所述结晶材料中用于与单晶材料结合形成结晶材料的掺杂元素； 根据所述第一掺杂元素的真实浓度及其对应的第一晶格参数和名义浓度及其对应的第二晶格参数，计算得到所述结晶材料中第二掺杂元素的浓度，其中，所述第二掺杂元素为所述结晶材料中除第一掺杂元素以外的其他掺杂元素。

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