高景太阳能股份有限公司;四川高景太阳能科技有限公司;广州高景太阳能科技有限公司米家东获国家专利权
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龙图腾网获悉高景太阳能股份有限公司;四川高景太阳能科技有限公司;广州高景太阳能科技有限公司申请的专利用于BC电池的大尺寸N型硅片及其制备方法和BC电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120751823B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511165451.5，技术领域涉及：H10F77/14；该发明授权用于BC电池的大尺寸N型硅片及其制备方法和BC电池是由米家东;徐志群;乔乐设计研发完成，并于2025-08-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于BC电池的大尺寸N型硅片及其制备方法和BC电池在说明书摘要公布了：本发明涉及光伏电池技术领域，具体而言，涉及用于BC电池的大尺寸N型硅片及其制备方法和BC电池。大尺寸N型硅片的尺寸≥230mm×230mm、厚度为90~130μm，大尺寸N型硅片的边缘为圆弧倒角，且边缘处包裹有SiNx层；大尺寸N型硅片包括中心区域和包围中心区域的边缘区域，边缘区域中的掺杂元素锑的含量≤1×1015atomscm3；中心区域中的掺杂元素锑的含量为1×1016~5×1016atomscm3。通过设置边缘圆弧倒角并包裹SiNx层、边缘低掺杂，能够在保证机械强度、降低碎片率的同时，降低边缘载流子复合，提升开路电压，提升电池功率输出。
本发明授权用于BC电池的大尺寸N型硅片及其制备方法和BC电池在权利要求书中公布了：1.一种用于BC电池的大尺寸N型硅片，其特征在于，所述大尺寸N型硅片的尺寸≥230mm×230mm，所述大尺寸N型硅片的厚度为90~130μm，所述大尺寸N型硅片的边缘为圆弧倒角，且所述大尺寸N型硅片的边缘包裹有SiNx层； 所述大尺寸N型硅片包括中心区域和包围所述中心区域的边缘区域，所述边缘区域中的掺杂元素锑的含量≤1×1015atomscm3；所述中心区域中的掺杂元素锑的含量为1×1016~5×1016atomscm3。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人高景太阳能股份有限公司;四川高景太阳能科技有限公司;广州高景太阳能科技有限公司，其通讯地址为：519000 广东省珠海市横琴新区华金街58号1102办公；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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