广州市艾佛光通科技有限公司李国强获国家专利权
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龙图腾网获悉广州市艾佛光通科技有限公司申请的专利一种降低减薄崩边率的晶圆键合封装方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120652751B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510770340.0，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权一种降低减薄崩边率的晶圆键合封装方法及半导体器件是由李国强;衣新燕;占敏杰设计研发完成，并于2025-06-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种降低减薄崩边率的晶圆键合封装方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种降低减薄崩边率的晶圆键合封装方法及半导体器件，涉及晶圆键合封装技术领域。该方法包括步骤：采用特制掩膜版对涂覆有光刻胶的衬底晶圆和封装顶盖晶圆进行对准曝光；对曝光后的衬底晶圆和封装顶盖晶圆进行显影，以使边缘光刻胶作为钝化层被保留在衬底晶圆和封装顶盖晶圆上；对显影后的衬底晶圆和封装顶盖晶圆进行刻蚀，并在钝化层上蒸镀键合层；通过键合层将衬底晶圆与封装顶盖晶圆键合，得到半成品；对半成品进行减薄处理，得到成品。本发明的方法旨在解决使用传统掩膜版进行晶圆键合封装容易导致成品出现崩边与碎屑异常的问题，避免悬空结构的形成，有效降低键合并减薄后的崩边率，提高整体生产效率和产品良率。
本发明授权一种降低减薄崩边率的晶圆键合封装方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种降低减薄崩边率的晶圆键合封装方法，其特征在于，包括以下步骤： 使用双面对准曝光机，并采用特制掩膜版对涂覆有光刻胶的衬底晶圆和封装顶盖晶圆进行对准曝光；所述特制掩膜版包括图形区和位于所述图形区边缘外的非图形区，所述非图形区设置有镀层，所述镀层用于阻挡光线以使所述衬底晶圆和所述封装顶盖晶圆上与所述非图形区对应的边缘光刻胶避免曝光； 对曝光后的衬底晶圆和封装顶盖晶圆进行显影，以使所述边缘光刻胶作为钝化层被保留在所述衬底晶圆和所述封装顶盖晶圆上； 对显影后的衬底晶圆和封装顶盖晶圆进行刻蚀，并分别在所述衬底晶圆和所述封装顶盖晶圆对应的钝化层上蒸镀键合层； 通过所述键合层将所述衬底晶圆与封装顶盖晶圆键合，得到半成品； 对所述半成品进行减薄处理，得到成品。
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