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龙图腾网获悉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利单晶黑磷薄膜的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120591883B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411695132.0，技术领域涉及：C30B23/02；该发明授权单晶黑磷薄膜的制备方法是由张凯;王相懿;陈程;王俊勇;俞强设计研发完成，并于2024-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本单晶黑磷薄膜的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种单晶黑磷薄膜的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：提供生长衬底，在生长衬底表面形成暴露出统一取向的原子级台阶；将生长衬底、磷源和输运剂放置于反应腔室中，并对反应腔室进行加热，在生长衬底的表面形成单晶黑磷薄膜；其中，对反应腔室进行加热包括：第一阶段，在第一温度条件下于生长衬底上诱导红磷晶核取向生长；第二阶段，在第二温度条件下促进取向生长的红磷相变生长出单晶黑磷薄膜；第三阶段，在第三温度条件下对红磷相变生长出的单晶黑磷薄膜进行膜层扩展。本发明通过诱导红磷晶核取向生长，并控制红磷到黑磷的相变过程，成功制备了大面积的单晶黑磷薄膜。

本发明授权单晶黑磷薄膜的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种单晶黑磷薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤： 提供生长衬底，并对生长衬底进行形貌处理，在生长衬底表面形成暴露出统一取向的原子级台阶； 将生长衬底、磷源和输运剂放置于反应腔室中，并对反应腔室进行加热，使得磷源和输运剂气化后生成含磷气体，在生长衬底的表面形成单晶黑磷薄膜； 其中，对反应腔室进行加热包括：第一阶段，在第一温度条件下于生长衬底上诱导红磷晶核取向生长；第二阶段，在第二温度条件下促进取向生长的红磷相变生长出单晶黑磷薄膜；第三阶段，在第三温度条件下对红磷相变生长出的单晶黑磷薄膜进行膜层扩展； 所述第一温度条件为：先以2℃min~4℃min的速率将反应腔室的温度自室温升温至640℃~660℃，保温1h~1.5h，再以0.5℃min~1.5℃min的速率降温至440℃~460℃，保温2h~2.5h； 所述第二温度条件为：以0.5℃min~1.5℃min的速率将反应腔室的温度自440℃~460℃升温至490℃~510℃，保温2h~2.5h； 所述第三温度条件为：先以0.5℃min~0.7℃min的速率将反应腔室的温度自490℃~510℃降温至290℃~310℃，再在3h~3.5h内降温至室温； 所述输运剂包括锡源和碘源，所述磷源、锡源、碘源的质量比为20~40:6:3。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，其通讯地址为：215123 江苏省苏州市工业园区若水路398号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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