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龙图腾网获悉深圳市凯展辉精密模具有限公司申请的专利一种功率晶体管的驱动电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120454699B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510536805.6，技术领域涉及：H03K17/687；该发明授权一种功率晶体管的驱动电路是由王学华设计研发完成，并于2025-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种功率晶体管的驱动电路在说明书摘要公布了：本申请公开了一种耗尽型功率晶体管的驱动电路，涉及功率电子领域，驱动电路包括耗尽型功率晶体管、增强型功率晶体管、第一电容、第一二极管和欠压保护电路；其中：第一电容的第一端连接欠压保护电路的第一端，并接收外部PWM驱动信号，第一电容的第二端分别与欠压保护电路的第二端、第一二极管的第一端和耗尽型功率晶体管的第一端共同连接；耗尽型功率晶体管的第二端连接至第一外部电路，耗尽型功率晶体管的第三端连接增强型功率晶体管的第一端，增强型功率晶体管的第二端连接欠压保护电路的第三端；欠压保护电路的第四端、第一二极管的第二端、增强型功率晶体管的第三端接驱动地，增强型功率晶体管的第四端接至第二外部电路。

本发明授权一种功率晶体管的驱动电路在权利要求书中公布了：1.一种耗尽型功率晶体管的驱动电路，其特征在于，所述耗尽型功率晶体管的驱动电路包括耗尽型功率晶体管、增强型功率晶体管、第一电容、第一二极管和欠压保护电路；其中： 所述第一电容的第一端连接所述欠压保护电路的第一端，并接收外部PWM驱动信号，所述第一电容的第二端分别与所述欠压保护电路的第二端、所述第一二极管的第一端和所述耗尽型功率晶体管的第一端共同连接； 所述耗尽型功率晶体管的第二端连接至第一外部电路，所述耗尽型功率晶体管的第三端连接所述增强型功率晶体管的第一端，所述增强型功率晶体管的第二端连接所述欠压保护电路的第三端； 所述欠压保护电路的第四端、所述第一二极管的第二端、所述增强型功率晶体管的第三端接驱动地，所述增强型功率晶体管的第四端接至第二外部电路； 所述欠压保护电路用于监测所述第一电容两端的第一电压，基于所述第一电压，所述欠压保护电路输出使能Enable禁用Disable信号控制所述增强型功率晶体管的开通与关断，当所述增强型功率晶体管接收所述Enable信号开通后，所述外部PWM驱动信号能够高频控制所述耗尽型功率晶体管的开通与关断。

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