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龙图腾网获悉博茵微电子(北京)有限公司申请的专利一种电源网络预留低层金属布线资源缓解片内电压降方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120124585B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510229417.3，技术领域涉及：G06F30/398；该发明授权一种电源网络预留低层金属布线资源缓解片内电压降方法是由韩飞;王洪鹏设计研发完成，并于2025-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电源网络预留低层金属布线资源缓解片内电压降方法在说明书摘要公布了：本发明的目的是提供一种电源网络预留低层金属布线资源缓解片内电压降方法，该方法包括：在芯片布局阶段预留底层金属资源的部署区域；修正所述部署区域；在布线完成后根据芯片分析结果在所述部署区域使用所述金属资源。本发明在布局布线和时钟树综合阶段，预留低层金属布线资源用于联通相邻标准单元的供电轨道，从而在芯片设计后期通过灵活启用这些预留布线资源，有效缓解低层金属电阻过大导致的电压降超标问题。

本发明授权一种电源网络预留低层金属布线资源缓解片内电压降方法在权利要求书中公布了：1.一种电源网络预留低层金属布线资源缓解片内电压降方法，其特征在于，包括： S1、在芯片布局阶段预留底层金属资源的部署区域；具体包括： 在芯片布局阶段，对芯片功耗进行分析； 根据分析结果将电压降相对明显的高压降区域作为标记区域； 在所述标记区域内，按照预设的密度和排列方式，在低层金属层添加短接标准单元供电轨道的短金属； 对版图进行物理设计规则检查； 根据电流分布情况将电压降相对明显的高压降区域作为标记区域包括： 根据芯片的工作情况计算压降标准参数； 将芯片内各个区域的压降与压降标准参数进行对比； 如果区域的压降与压降标准参数的正差值超过阈值，则将当前区域作为标记区域； 所述在芯片布局阶段，对芯片功耗进行分析包括： 将每个标准单元等效为一个恒流源，根据输入管脚、输出管脚的数量，输入管脚、输出管脚的能量消耗，输入、输出信号状态变化的频率和输出管脚的电容计算当前标准单元的平均功耗； 根据平均功耗计算平均电流； S2、修正所述部署区域；具体包括： 在时钟树综合阶段，通过翻转率文件或全局翻转率对功耗分布分析，修正标记区域； 在修正后的标记区域内，按照指定的密度和排列方式优化短接标准单元供电轨道的短金属； 对版图进行物理设计规则检查，移除带来物理设计规则违例的部分； S3、在布线完成后根据芯片分析结果在所述部署区域使用所述金属资源。

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