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龙图腾网获悉昆明理工大学申请的专利一种提高二维类石墨烯基拓扑材料热电性能的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119993343B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510081531.6，技术领域涉及：G16C60/00；该发明授权一种提高二维类石墨烯基拓扑材料热电性能的方法是由于晓华;陆仪;荣菊;马立;陈科元;吴永智;叶珏屹;贺志杰;付祥杰;张皓翔;李汗檾设计研发完成，并于2025-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提高二维类石墨烯基拓扑材料热电性能的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种提高二维类石墨烯基拓扑材料热电性能的方法，属于新能源材料技术领域。本发明通过密度泛函理论计算氢化改性材料的电子结构参数，然后筛选合适的结构的氢改性材料；然后通过AIMD分子动力学模拟分析高温下的热稳定性；通过玻尔兹曼输运理论，计算目标氢化模型的塞贝克系数；利用ShengBTE软件计算目标氢化模型的晶格热导率，结合BoltzTraP2代码计算电导率，得出该材料的热电优值，通过上述计算得到热电性能优异同时具有高温结构稳定性的材料结构，为二维材料热电性能的提升提供了一种可靠路径。并且本发明所述方法突破了传统掺杂或复合改性方法的局限性，不仅适用于类石墨烯材料，还可推广至其他二维材料及新型半导体体系，具有较高的适用性与前瞻性。

本发明授权一种提高二维类石墨烯基拓扑材料热电性能的方法在权利要求书中公布了：1.一种提高二维类石墨烯基拓扑材料热电性能的方法，其特征在于：包括以下步骤： 1在具有拓扑特性的二维类石墨烯基材料的基础上构建氢化模型；所述氢化模型为在具有拓扑特性的二维类石墨烯基材料上的不同位置进行氢原子吸附行为的模型，吸附行为单面氢化、双面氢化或部分氢化； 2对构建的氢化模型通过第一性原理计算优化氢化模型，得到氢化材料的电子结构参数，当电子能带为0.2~2.0eV，态密度为在费米能级附近±0.1eV范围内，局部态密度需达到10^21stateseV·cm³以上，且在能级分布中显示出两个以上能级简并现象，电子或空穴的有效质量为0.15~1.5倍电子质量时，该氢化模型为目标氢化模型；否则，改变氢化材料的氢原子吸附行为重新创建氢化模型，直到氢化模型的电子结构参数满足条件，则该氢化模型为目标氢化模型； 3通过AIMD分子动力学模拟，对目标氢化模型进行高温下的热稳定性分析； 4使用玻尔兹曼输运理论，计算目标氢化模型的塞贝克系数； 5利用ShengBTE软件计算目标氢化模型的晶格热导率，结合BoltzTraP2代码计算电导率，最终得出该材料的热电优值。

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