哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)何枫获国家专利权
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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)申请的专利一种基于TTM-MD仿真的抑制热电子发射方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119989698B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510092552.8，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种基于TTM-MD仿真的抑制热电子发射方法是由何枫;唐维永;黄昱尊;于泽;张明宇;徐小川设计研发完成，并于2025-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于TTM-MD仿真的抑制热电子发射方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于TTM‑MD仿真的抑制热电子发射方法，所述方法通过调节双脉冲的能量分布与延迟时间，对电子温度进行调控；并根据升温时间与延迟之间的关系，获得在满足加工要求下引入的最大延迟时间。本发明方法通过获得在满足加工要求的前提下能够引入的最大延迟，降低了电子温度，用以抑制热电子发射。
本发明授权一种基于TTM-MD仿真的抑制热电子发射方法在权利要求书中公布了：1.一种基于TTM-MD仿真的抑制热电子发射方法，其特征在于，所述方法通过调节双脉冲的能量分布与延迟时间，对电子温度进行调控；并根据升温时间与延迟之间的关系，获得在满足加工要求下引入的最大延迟时间； 飞秒激光照射下材料的升温，具体表达式为： mi、vi是每个原子的质量与速度，U为系统的势能，为描述电子-晶格能量传输的朗之万恒温器；Ce、ke、gp、S分别代表电子的热容、热导、电声耦合系数和外加的能量；Te、Tl分别表示电子、晶格的温度。
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