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龙图腾网获悉湖南德智新材料股份有限公司申请的专利一种提升石墨基材表面SiC涂层结合强度的方法及其产品获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119980177B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411999400.8，技术领域涉及：C23C16/18；该发明授权一种提升石墨基材表面SiC涂层结合强度的方法及其产品是由刘赋灵;余盛杰;廖家豪;万强;柴攀设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提升石墨基材表面SiC涂层结合强度的方法及其产品在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体材料制备的技术领域，提供了一种提升石墨基材表面SiC涂层界面结合强度的方法及其产品。该方法包括以下步骤：S1：将石墨基材放置于碳纳米管悬浮液中，采用电泳方法在石墨基材表面形成碳纳米管包覆层；S2：将步骤S1处理后的石墨基材放置于化学气相沉积设备中，对化学气相沉积设备抽真空，然后用惰性气体清洗沉积设备；S3：将硅碳源气体、反应气体和载气的混合气体通入化学气相沉积设备中，采用化学气相沉积工艺在碳纳米管包覆层表面沉积SiC涂层。该方法能够增加碳化硅涂层与石墨基材之间的界面结合力，使得后续的碳化硅涂层在使用过程中不易剥落，提高碳化硅涂层材料的使用寿命和可靠性。

本发明授权一种提升石墨基材表面SiC涂层结合强度的方法及其产品在权利要求书中公布了：1.一种提升石墨基材表面SiC涂层结合强度的方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：将石墨基材放置于浓度为0.03wt.%-0.08wt.%的碳纳米管悬浮液中，采用电泳方法在石墨基材表面形成碳纳米管包覆层；所述步骤S1中，电泳方法的工艺参数包括：电压为20V-50V，时间为5min-10min，温度为20℃-30℃；所述碳纳米管悬浮液还包括分散剂，所述分散剂的质量占碳纳米管质量的15%-25%；所述碳纳米管的直径为8nm-15nm，长度为30μm-80μm；所述碳纳米管包覆层的厚度为35μm-40μm； S2：将步骤S1处理后的石墨基材放置于化学气相沉积设备中，对所述化学气相沉积设备抽真空，然后用惰性气体清洗沉积设备； S3：将硅碳源气体、反应气体和载气的混合气体通入所述化学气相沉积设备中，采用化学气相沉积工艺在碳纳米管包覆层表面沉积SiC涂层；化学气相沉积的沉积温度为1200℃-1400℃；所述步骤S3中，化学气相沉积的工艺参数包括：沉积压力为10kPa-20kPa，沉积时间为300min-500min；所述硅碳源气体与所述反应气体的流量比为1:10-1:20； 所述石墨基材为MOCVD用石墨基座。

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