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龙图腾网获悉中国科学院宁波材料技术与工程研究所申请的专利一种带存储效应的晶体管及其半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119907263B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311375152.5，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种带存储效应的晶体管及其半导体器件是由戴明志设计研发完成，并于2023-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种带存储效应的晶体管及其半导体器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种带存储效应的晶体管及其半导体器件，所述带存储效应的晶体管由于在绝缘层或者半导体层添加具有存储效应的材料而使晶体管本身具有存储效应，结合通过在沟道区设置的沟道电极，沟道电极可以和沟道形成结电容，该晶体管还具有平面晶体管结构和垂直晶体管结构，使得代表状态0和状态1两条线的差别可以通过添加沟道电极结电容的电荷调控得到拓展，由既有的2态变为多态，同时调控由二维变为三维，并且可以进一步扩展为多维度；本发明提供了一种减少所需电路面积和降低设备能耗的思路，极大地扩展了晶体管的应用场景。

本发明授权一种带存储效应的晶体管及其半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种带存储效应的晶体管，其特征在于：包括： 衬底； 位于所述衬底一侧的沟道区、源区和漏区，所述衬底和掺杂区分别作为所述晶体管的源区和漏区；所述沟道区在延伸方向上具有相对的第一端和第二端；所述源区与所述第一端电接触，形成源极；所述漏区与所述第二端电接触，形成漏极； 位于所述源区与所述漏区之间的栅极，所述栅极包围部分所述沟道区，所述沟道区与所述栅极相对的区域之间具有栅绝缘层； 位于所述栅极与所述栅绝缘层之间的铁电材料、磁电材料、相变材料、量子效应材料、阻变效应材料、存储效应材料、半导体材料、超导材料、导体材料、绝缘材料、介质材料二维材料、一维材料、三维材料、钙钛矿材料、氧化物、硫化物、氰化物、氢化物、硅化物中的一种或几种具有存储效应的材料、或所述栅极与具有存储效应的材料之间是栅绝缘层、或所述栅绝缘层本身为具有存储效应的材料； 在所述栅极和沟道区之间的栅绝缘层上或者具有存储效应的材料上设置有至少一个沟道电极、或在沟道区设置有至少一个沟道电极，所述至少一个沟道电极与所述源极、漏极相互分离； 所述至少一个沟道电极由导体、半导体、或导体与半导体的组合组成； 所述晶体管包括至少一个子沟道电极用于存储电荷的结电容，所述至少一个子沟道电极通过与沟道区、栅绝缘层连接用于调控晶体管的存储电荷； 通过添加沟道电极结电容的电荷调控得到拓展，由2态变为多态，同时调控由二维变为多维。

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