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龙图腾网获悉嘉兴中科微电子仪器与设备工程中心申请的专利一种玻璃基底表面沉积生长钌薄膜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119841556B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411933300.5，技术领域涉及：C03C17/09；该发明授权一种玻璃基底表面沉积生长钌薄膜的方法是由陈鸿飞;尹永强;陈俊豪;薛翔宇;明帅强;李明;王浙加;徐硕;夏洋设计研发完成，并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种玻璃基底表面沉积生长钌薄膜的方法在说明书摘要公布了：本申请涉及薄膜材料技术领域，尤其涉及一种玻璃基底表面沉积生长钌薄膜的方法；所述方法包括：将玻璃基底进行预处理，得到预处理基底；在惰性气氛的条件下使用三羰基钌类钌源将预处理基底第一次原子层沉积处理，得到含有三羰基的粗钌薄膜基底；使用氧源将粗钌薄膜基底第二次原子层沉积处理，使得粗钌薄膜基底的三羰基发生氧化还原反应，并脱除粗钌薄膜基底，得到含有钌薄膜的玻璃基底。该方法通过两次原子层沉积处理以及氧化还原反应的巧妙结合，成功地实现了在玻璃基底表面沉积生长高质量钌薄膜的目标。这种方法不仅提高了钌薄膜的纯度和均匀性，使得钌薄膜的非均匀性控制在0.35％以下，还显著增强了其与玻璃基底的结合力和稳定性。

本发明授权一种玻璃基底表面沉积生长钌薄膜的方法在权利要求书中公布了：1.一种玻璃基底表面沉积生长钌薄膜的方法，所述方法包括： 将玻璃基底进行预处理，得到预处理基底； 在惰性气氛的条件下使用三羰基钌类钌源将所述预处理基底进行第一次原子层沉积处理，得到含有三羰基的粗钌薄膜基底； 使用氧源将含有三羰基的所述粗钌薄膜基底进行第二次原子层沉积处理，使得所述粗钌薄膜基底的三羰基发生氧化还原反应，并脱除所述粗钌薄膜基底，得到含有钌薄膜的玻璃基底；所述第一次原子层沉积处理包括第一加热段和三羰基钌类钌源脉冲段，所述第一加热段的终点温度为150℃～200℃，所述三羰基钌类钌源脉冲段的脉冲时间为0.1s～5.0s；所述第一次原子层沉积处理还包括第一载气吹扫段，所述第一载气吹扫段的时间为0.1s～5s，所述第一载气吹扫段的温度为95℃～105℃，所述第一载气吹扫段的载气流量为10sccm～150sccm；所述第二次原子层沉积处理包括第二加热段和氧源脉冲段，所述第二加热段的终点温度为150℃～200℃，所述氧源脉冲段的脉冲时间为0.1s～1.0s；所述第二次原子层沉积处理还包括第二载气吹扫段，所述第二载气吹扫段的时间为0.01s～0.05s，所述第二载气吹扫段的温度为95℃～105℃，所述第二载气吹扫段的载气流量为10sccm～150sccm。

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