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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种抑制SBFET阈值电压漂移的方法、装置及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119780643B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411836258.5，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种抑制SBFET阈值电压漂移的方法、装置及设备是由刘凡宇;张铁馨;李博;韩郑生设计研发完成，并于2024-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种抑制SBFET阈值电压漂移的方法、装置及设备在说明书摘要公布了：本发明公开一种抑制SBFET阈值电压漂移的方法、装置及设备，涉及半导体技术领域，以解决现有技术中对SBFET进行转移特性测试时阈值电压漂移的问题。方法包括：获取SBFET栅极电压与漏极电流转移特性的实测数据，获取SBFET界面陷阱以及氧化层陷阱的仿真测试数据；仿真测试数据包括栅极电压与漏极电流转移特性的仿真测试数据；基于所述仿真测试数据及所述实测数据，确定影响SBFET阈值电压漂移的目标陷阱；进一步确定目标陷阱的目标充电电压及目标充电时长；最后基于目标充电电压及目标充电时长，对目标陷阱进行充电，以抑制SBFET进行转移特性测试时阈值电压的漂移；基于此，实现了对SBFET反复进行转移特性测试时阈值电压漂移的有效抑制。

本发明授权一种抑制SBFET阈值电压漂移的方法、装置及设备在权利要求书中公布了：1.一种抑制SBFET阈值电压漂移的方法，其特征在于，包括： 获取SBFET栅极电压与漏极电流转移特性的实测数据； 获取SBFET界面陷阱以及氧化层陷阱的仿真测试数据；所述仿真测试数据包括栅极电压与漏极电流转移特性的仿真测试数据； 基于所述仿真测试数据及所述实测数据，确定影响SBFET阈值电压漂移的目标陷阱；所述基于所述仿真测试数据和所述实测数据，确定影响SBFET阈值电压漂移的目标陷阱，包括：将所述氧化层陷阱的仿真测试数据与所述实测数据进行数据比对，得到第一比对结果；将所述界面陷阱的仿真测试数据与所述实测数据进行数据比对，得到第二比对结果；基于所述第一比对结果及所述第二比对结果，得到影响SBFET阈值电压漂移的目标陷阱；所述目标陷阱为界面陷阱中的慢界面陷阱； 确定所述目标陷阱的目标充电电压及目标充电时长； 基于所述目标充电电压及目标充电时长，对所述目标陷阱进行充电，以抑制所述SBFET进行转移特性测试时阈值电压的漂移。

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