常州大学鲁成龙获国家专利权
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龙图腾网获悉常州大学申请的专利基于势垒栅结构隧穿场效应晶体管的生物传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119780196B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411824632.X，技术领域涉及：G01N27/414；该发明授权基于势垒栅结构隧穿场效应晶体管的生物传感器是由鲁成龙;刘宪云;杨迪设计研发完成，并于2024-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于势垒栅结构隧穿场效应晶体管的生物传感器在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种基于势垒栅结构隧穿场效应晶体管的生物传感器，包括硅衬底、绝缘层、沟道、栅介质层、源极、漏极、栅极、生物纳米空腔和生物介质层；硅衬底、绝缘层、沟道和栅介质层自下而上依次层叠；源极和漏极分布于沟道两侧，均接触沟道和栅介质层，均层叠在绝缘层上表面；沟道的靠近源极的端部为P+掺杂区，靠近漏极的端部为石墨烯；石墨烯的靠近P+掺杂区的端部为N+掺杂区，中间部位为P势垒区；生物纳米空腔和栅极依次层叠在栅介质层的正对P势垒区的上表面；生物介质层层叠在生物纳米空腔靠近源极侧面，并接触栅极。本发明降低关态电流，降低功耗，提高开关电流比，解决现有技术中生物传感器灵敏度低等问题。
本发明授权基于势垒栅结构隧穿场效应晶体管的生物传感器在权利要求书中公布了：1.一种基于势垒栅结构隧穿场效应晶体管的生物传感器，其特征在于， 包括硅衬底8、绝缘层7、沟道、栅介质层9、源极5、漏极6、栅极11、生物纳米空腔12和生物介质层10；其中， 所述硅衬底8、所述绝缘层7、所述沟道和所述栅介质层9自下而上依次层叠； 所述源极5和所述漏极6分布于所述沟道两侧，且均接触所述沟道和所述栅介质层9，均层叠在所述绝缘层7上表面； 所述沟道的靠近所述源极5的端部为硅材料的P+掺杂区1，靠近所述漏极6的端部为石墨烯2；所述石墨烯2的靠近所述P+掺杂区1的端部为N+掺杂区3，中间部位为P势垒区4； 所述生物纳米空腔12层叠在所述栅介质层9的正对所述P势垒区4的上表面； 所述栅极11层叠在所述生物纳米空腔12的上表面，所述生物介质层10层叠在所述生物纳米空腔12靠近所述源极5的侧面，并接触所述栅极11。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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