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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种抵抗单粒子翻转的锁存器及触发器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119766203B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411640525.1，技术领域涉及：H03K3/3562；该发明授权一种抵抗单粒子翻转的锁存器及触发器是由闫珍珍;詹哲宇;刘海南;李多力;马全刚;赵文欣;李博设计研发完成，并于2024-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种抵抗单粒子翻转的锁存器及触发器在说明书摘要公布了：本发明公开一种抵抗单粒子翻转的锁存器及触发器，涉及数字集成电路设计技术领域，以解决现有技术中无法抵抗数字电路中多个节点发生单粒子翻转的问题。锁存器至少包括相互连接的基本锁存器、传输门及探测电路，基本锁存器用于锁存该锁存器对应加固电路的存储电平状态；锁存器利用探测电路的探测信号判断基本锁存器的电平翻转状态，并基于基本锁存器的电平翻转状态生成控制锁存器的控制信号；进一步可以利用多个上述结构的锁存器组成触发器；从而实现了在锁存器及触发器受到多节点单粒子轰击后能恢复到正确电平，提升了锁存器及触发器对单粒子翻转的抵抗能力。

本发明授权一种抵抗单粒子翻转的锁存器及触发器在权利要求书中公布了：1.一种抵抗单粒子翻转的锁存器，其特征在于，锁存器至少包括基本锁存器、传输门及探测电路； 所述基本锁存器的输入端与所述锁存器的输入端连接，所述基本锁存器的输出端与所述传输门的输入端连接，所述传输门的输出端与所述锁存器的输出端连接，所述探测电路的输入端与所述基本锁存器连接，所述探测电路的输出端与所述传输门连接； 所述基本锁存器用于锁存所述锁存器对应加固电路的存储电平状态； 所述锁存器利用所述探测电路的探测信号判断所述基本锁存器的电平翻转状态，并基于所述基本锁存器的电平翻转状态生成控制所述锁存器输出的控制信号； 所述探测电路包括第八PMOS管至第十五PMOS管，第八NMOS管至第十NMOS管；所述第八PMOS管的栅极与第四信号端连接、源极与电源端连接、漏极与第三信号端连接；所述第九PMOS管的栅极与第六信号端连接、源极与电源端连接、漏极与第五信号端连接；所述第十PMOS管的栅极与时钟信号端连接、源极与电源端连接、漏极与第三信号端连接；所述第十一PMOS管的栅极与时钟信号端连接、源极与电源端连接、漏极与第五信号端连接；所述第十二PMOS管的栅极与第一信号端连接、源极与第三信号端连接、漏极与第十三PMOS管漏极连接；所述第十三PMOS管的栅极与第二信号端连接、源极与第五信号端连接、漏极与第八NMOS管漏极连接；所述第十四PMOS管的栅极与第三信号端连接、源极与电源端连接、漏极与第四信号端连接；所述第十五PMOS管的栅极与第五信号端连接、源极与电源端连接、漏极与第六信号端连接； 所述第八NMOS管的栅极与时钟信号端连接、源极接地；所述第九NMOS管的漏极与第四信号端连接、栅极与第三信号端连接、源极接地；所述第十NMOS管的栅极与第五信号端连接、源极接地、漏极与第六信号端连接； 当所述锁存器电路处于透明状态时，包括：所述探测电路中第十PMOS管及第十一PMOS管打开，第八NMOS关断，第三信号端和第五信号端节点输出高电平、第四信号端和第六信号端节点输出低电平；当所述锁存器电路处于锁存状态时，包括：所述探测电路中第十PMOS管及第十一PMOS管关断，第八NMOS管导通。

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