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龙图腾网获悉安庆师范大学申请的专利非正态分布下集成芯片封装测试数据质量判断方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119716706B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510035398.0，技术领域涉及：G01R35/00；该发明授权非正态分布下集成芯片封装测试数据质量判断方法及系统是由詹文法;张珺瑚;章礼华;曾晓洋;郑江云;蔡雪原;张庆平;黄晓晓;王强;周扬心梓;弥晨设计研发完成，并于2025-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本非正态分布下集成芯片封装测试数据质量判断方法及系统在说明书摘要公布了：非正态分布下集成芯片封装测试数据质量判断方法及系统，属于集成芯片检测技术领域，解决如何对非正态分布下集成芯片封装质量判断的问题，本发明通过判断集成芯片封装测试数据分布，根据测试数据分布选用不同的方法计算测试数据的过程能力指数，根据过程能力指数中的数据集中程度和过程偏移程度判断集成芯片封装质量等级；在集成芯片封装测试数据为非正态分布时，使用1％显著性水平滤除偏移量过大干扰数据和波峰均值替代过程均值，使得集成芯片封装测试数据在非正态分布下计算的过程能力指数会具有更强的抗干扰能力，判断集成芯片封装质量时的可信度更高。

本发明授权非正态分布下集成芯片封装测试数据质量判断方法及系统在权利要求书中公布了：1.非正态分布下集成芯片封装测试数据质量判断方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1、选取集成芯片封装测试数据； 步骤2、使用AD检验判断集成芯片封装测试数据分布； 步骤3、计算集成芯片封装测试数据正态分布下的过程能力指数； 步骤4、计算集成芯片封装测试数据非正态分布下的过程能力指数；所述步骤4包括以下步骤： 步骤41、预设工艺规格上限USL和工艺规格下限LSL； 步骤42、计算数据集中程度，所述数据集中程度表达式如下： 式中，Cp表示数据集中程度，F0.005表示集成芯片封装测试数据跨度的0.5％面积的横坐标值，F0.995表示集成芯片封装测试数据跨度的99.5％面积的横坐标值； 步骤43、获取集成芯片封装测试数据折线图中波峰值Xi和直方图边界内数据个数Yi，计算波峰均值Mm，所述波峰均值Mm表达式如下： 步骤44、计算过程整体偏移程度，执行步骤5；所述过程整体偏移程度如下： 式中，Cpk表示过程整体偏移程度； 步骤5、使用数据集中程度和过程整体偏移程度共同判断集成芯片封装质量分级。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人安庆师范大学，其通讯地址为：246133 安徽省安庆市宜秀区集贤北路1318号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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