上海交通大学范同祥获国家专利权
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龙图腾网获悉上海交通大学申请的专利一种应用于微结构气体探测器的新型阻性材料获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119704814B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510002372.6，技术领域涉及：B32B27/28；该发明授权一种应用于微结构气体探测器的新型阻性材料是由范同祥;邱杰;王少博;邵剑雄;王云;仇晓升设计研发完成，并于2025-01-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种应用于微结构气体探测器的新型阻性材料在说明书摘要公布了：本发明公开了一种应用于微结构气体探测器的新型阻性材料，涉及复合材料技术领域，包括绝缘基层和高导电性材料外层，所述高导电性材料外层是由导电聚合物与纳米级导电材料经过改性后复合而成，所述高导电性材料外层的外表面还设置有微结构层，所述高导电性材料外层的内部还设置有自修复结构，所述自修复结构包括均匀嵌设在高导电性材料外层内部的若干个微胶囊。本发明公开的应用于微结构气体探测器的新型阻性材料显著提高了微结构气体探测器的探测灵敏度和时间分辨率，具有优异的耐辐射性和环境适应性，解决了现有技术中的诸多缺陷。通过微结构设计和自修复功能，该材料在高粒子流条件下表现出卓越的性能，适合应用于高能物理和核医学等领域。
本发明授权一种应用于微结构气体探测器的新型阻性材料在权利要求书中公布了：1.一种应用于微结构气体探测器的新型阻性材料，其特征在于，包括绝缘基层100和高导电性材料外层200，所述高导电性材料外层200是由导电聚合物与纳米级导电材料经过改性后复合而成； 所述高导电性材料外层200的外表面还设置有微结构层300，其用于增强材料的电场均匀性和提高电子收集效率； 所述高导电性材料外层200的内部还设置有自修复结构400，其用于在材料受损后释放修复剂，实现自我修复，延长材料的使用寿命； 所述微结构层300是采用3D打印或激光刻蚀技术在高导电性材料外层200的表面形成微米级和纳米级的凹凸结构； 所述自修复结构400包括均匀嵌设在高导电性材料外层200内部的若干个微胶囊，所述微胶囊的内部灌注有材料修复剂。
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