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龙图腾网获悉上海微波技术研究所(中国电子科技集团公司第五十研究所)申请的专利长波及甚长波红外全硅减反超表面组成方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119667939B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411850786.6，技术领域涉及：G02B27/00；该发明授权长波及甚长波红外全硅减反超表面组成方法及系统是由郭小庆;汪泽文;董祚汝;梁芳;王兵兵设计研发完成，并于2024-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本长波及甚长波红外全硅减反超表面组成方法及系统在说明书摘要公布了：本发明提供了一种长波及甚长波红外全硅减反超表面组成方法和系统，包括：步骤S1：采集高纯硅材料的光学信息；步骤S2：根据所述光学信息，求出所述高纯硅材料的复折射率参数；步骤S3：根据所述复折射率参数，建立超表面模型；步骤S4：基于所述超表面模型得到高纯硅柱结构的反射率曲线；步骤S5：根据所述反射率曲线，得出平均反射率并且选出所述平均反射率最小情况下对应的高纯硅柱结构的物理参数；将所述物理参数周期排布在高纯硅衬底上，进而形成目标超表面；本发明提供的高纯硅柱结构与高纯硅衬底为同一材料，避免了引入新材料而导致热应力失配、易脱落的问题，可适配于常温及低温工作的探测器。

本发明授权长波及甚长波红外全硅减反超表面组成方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种长波及甚长波红外全硅减反超表面组成方法，其特征在于，包括： 步骤S1：采集高纯硅材料的光学信息； 步骤S2：根据所述光学信息，求出所述高纯硅材料的复折射率参数； 步骤S3：根据所述复折射率参数，建立超表面模型； 步骤S4：基于所述超表面模型得到高纯硅柱结构的反射率曲线； 步骤S5：根据所述反射率曲线，得出平均反射率并且选出所述平均反射率最小情况下对应的高纯硅柱结构的物理参数；将所述物理参数周期排布在高纯硅衬底上，进而形成目标超表面； 在所述步骤S4中，所述高纯硅柱结构的尺寸应满足表达式： 其中，neff表示折射率，nsi表示高纯硅衬底折射率；nair表示空气折射率； 其中，h表示厚度；λ表示波长； 在所述步骤S5中，包括： 步骤S5.1：通过时域有限差分法，计算不同周期P、不同边长L、不同厚度h的反射率曲线，令计算结果形成参数组； 步骤S5.2：根据所述参数组，评估并且得到平均反射率； 步骤S5.3：选出所述平均反射率最小情况下对应的高纯硅柱结构的物理参数；将所述物理参数周期排布在高纯硅衬底上； 步骤S5.4：基于所述高纯硅衬底，配合单侧表面周期性分布的高纯硅柱结构，形成目标超表面； 在所述步骤S5.2中，所述平均反射率的数学表达式为： 其中，Ravg表示平均反射率，λi表示波长点，ri为波长点下对应的反射率，λ1＝8μm、λn＝28μm。

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