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龙图腾网获悉山东大学申请的专利一种通过激光退火改善SiC晶锭激光切片表面粗糙度的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119566564B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411794679.6，技术领域涉及：B23K26/38；该发明授权一种通过激光退火改善SiC晶锭激光切片表面粗糙度的方法是由陈秀芳;车林林;王荣堃;谢雪健;杨祥龙;徐现刚设计研发完成，并于2024-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种通过激光退火改善SiC晶锭激光切片表面粗糙度的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种通过激光退火改善SiC晶锭激光切片表面粗糙度的方法。是先通过激光剥离的方式将SiC晶片从SiC晶锭上剥离，再利用激光在剥离后SiC晶片的表面形成退火层，最后将退火后SiC晶片的光滑面贴上UV膜放入减薄机中进行减薄，完成SiC晶锭激光切片。本发明所提供改善SiC晶锭激光切片表面粗糙度的方法利用了特定波长的激光，在剥离之后的SiC晶片表面形成退火层，降低了SiC晶片表面的粗糙度、降低了SiC晶片表面区域的强度，并且能够减少SiC晶片剥离后的隐藏在SiC晶片刀痕缝隙中的碎渣，SiC晶片在后续的减薄中的砂轮成本降低，也降低了SiC晶片的裂片率。

本发明授权一种通过激光退火改善SiC晶锭激光切片表面粗糙度的方法在权利要求书中公布了：1.一种通过激光退火改善SiC晶锭激光切片表面粗糙度的方法，其特征在于，具体步骤如下： 1将SiC晶锭预处理后固定在二维运动平台上，通过激光进行一次加工，在SiC晶锭内部形成改质层和裂痕；然后调整激光参数，沿着一次加工的路径进行二次加工；最后将两次加工后的SiC晶锭取下浸没在水中，通过超声波震动进行晶片剥离，得到SiC晶片； 其中，所述一次加工的参数为：激光波长为1000~1200nm，脉宽为5~30ns，重复频率为20~200kHz，出光功率为2~12W，二维平台移动速度为50~500mms，一次加工后改质层深度为400~600μm； 2将步骤1所得SiC晶片固定在二维运动平台上，再将二维运动平台置于密闭且顶部透明的腔体中，在氧气氛围下，通过激光扫描在SiC晶片的上表面形成均匀的退火层，得到退火后SiC晶片； 其中，所述激光扫描具体为：激光束先通过偏振分光棱镜PBS和半波片调节激光束功率和偏振方向后，再通过高反射镜和高速振镜精确控制激光聚焦到SiC晶片的上表面，激光的偏振方向与扫描方向相同；一次激光扫描后，在面积为1×1cm或2×2cm的区域形成退火层；再重复激光扫描操作，使得SiC晶片的上表面形成均匀的退火层； 3将步骤2所得退火后SiC晶片按照光滑面向上放入贴膜机中，在光滑面上贴附UV膜，再将贴膜后的SiC晶片固定在减薄机中进行磨削，完成SiC晶锭激光切片，得到指定厚度的SiC晶片； 其中，所述减薄机的参数为：主轴转速为1400~2200rpm，工作台转速为100~300rpm，主轴的进给速度为0.1~0.5μms。

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